Басанець Володимир Васильович
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів
Номер патенту: 101022
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Басанець Володимир Васильович
МПК: G01R 31/26, G01R 19/28, G01R 27/04 ...
Мітки: ненадійних, діодів, імпульсних, відбраковування, потенційно, лавинно-пролітних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...
Імпульсний лавинно-пролітний діод
Номер патенту: 71701
Опубліковано: 25.07.2012
Автори: Крицька Тетяна Володимирівна, Маруненко Юрій Володимирович, Зоренко Олександр Вольтович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Рижков Микола Ігорович
МПК: H01L 29/00, H01L 29/864
Мітки: імпульсний, діод, лавинно-пролітний
Формула / Реферат:
1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...
Лавинно-пролітний діод з контактною системою на основі металів платинової групи
Номер патенту: 66914
Опубліковано: 25.01.2012
Автори: Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/00
Мітки: основі, лавинно-пролітний, діод, металів, контактною, групи, платинової, системою
Формула / Реферат:
Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...
Нвч параметричний діод на бар’єрі шотткі
Номер патенту: 51493
Опубліковано: 26.07.2010
Автори: Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H01L 23/48
Мітки: нвч, шотткі, бар'єри, параметричний, діод
Формула / Реферат:
НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод
Номер патенту: 48718
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович, Басанець Володимир Васильович, Суворова Лідія Михайлівна, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: кремнієвий, надвисокочастотний, р-i-n, діод
Формула / Реферат:
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...
Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію
Номер патенту: 46834
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Уріцкая Надія Ярославівна, Голинная Тетяна Іванівна
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: кремнію, карбіду, надвисокочастотний, p-i-n-діод
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...
Напівпровідниковий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 43851
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Уріцкая Надія Ярославівна, Голинная Тетяна Іванівна, Басанець Володимир Васильович, Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: діод, надвисокочастотний, напівпровідниковий, p-і-n
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...
Лавино-пролітний діод
Номер патенту: 81185
Опубліковано: 10.12.2007
Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Миколаєнко Валентина Іванівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/00, H01L 29/864
Мітки: діод, лавино-пролітний
Формула / Реферат:
Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод
Номер патенту: 8455
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Сєдова Марина Олексійовна, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Суворова Лідія Михайлівна
МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...
Мітки: кремнієвий, р-і-n-діод, надвисокочастотний, безкорпусний
Формула / Реферат:
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...