Патенти з міткою «bi2te3»
Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3
Номер патенту: 118064
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович
МПК: C30B 29/68
Мітки: напівпровідникових, кімнатний, шаруватих, матеріалів, температури, спосіб, bi2te3, кристалів, одержання, феромагнітними, bi2se3, властивостями, основі
Формула / Реферат:
Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...
Термоелектричні гілки з нанопорошків bi2te3 n-типу провідності
Номер патенту: 90765
Опубліковано: 10.06.2014
Автори: Горський Петро Володимирович, Вихор Людмила Миколаївна
МПК: H01L 35/00
Мітки: провідності, bi2te3, нанопорошків, гілки, n-типу, термоелектричні
Формула / Реферат:
Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом: