Апатська Марія Володимирівна
Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів
Номер патенту: 106366
Опубліковано: 26.08.2014
Автори: Сизов Федір Федорович, Апатська Марія Володимирівна, Красільніков Дмитро Сергійович, Смолій Марія Іванівна, Петряков Володимир Олексійович
МПК: G01J 5/20, G01J 1/42, H01L 27/142 ...
Мітки: діапазонів, міліметрового, приймач, субміліметрового
Формула / Реферат:
Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент, виконаний у вигляді епітаксійної тонкої плівки матеріалу CdxHg1-xTe зі складом 0,17≤х≤0,3, нанесеної на монокристалічну напівпровідникову підкладку зі струмовими контактами, і схему зміщення, який відрізняється тим, що приймач додатково містить підкладку з відносною діелектричною проникністю ε≤5, діелектричними втратами...
Напівпровідниковий приймач тгц/суб-тгц випромінювання з вбудованим p-n переходом
Номер патенту: 98524
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Забудський Вячеслав Володимирович, Добровольський Валентин Миколайович, Бунчук Світлана Григорівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович, Дмитрук Надія Вікторівна, Цибрій Зіновія Федорівна, Апатська Марія Володимирівна, Смолій Марія Іванівна
МПК: G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...
Мітки: вбудованим, приймач, переходом, напівпровідниковий, випромінювання
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.