Андрєєва Катерина Вікторівна
Дводіапазонний напівпровідниковий приймач випромінювання для іч та тгц/суб-тгц діапазонів спектра
Номер патенту: 108104
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Цибрій Зіновія Федорівна, Смолій Марія Іванівна, Петряков Володимир Олексійович, Бунчук Світлана Григорівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Голенков Олександр Генадійович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович
МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...
Мітки: діапазонів, дводіапазонний, приймач, напівпровідниковий, випромінювання, спектра
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...
Напівпровідниковий приймач тгц/суб-тгц випромінювання з вбудованим p-n переходом
Номер патенту: 98524
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Сизов Федір Федорович, Апатська Марія Володимирівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Смолій Марія Іванівна, Добровольський Валентин Миколайович, Дмитрук Надія Вікторівна, Цибрій Зіновія Федорівна, Бунчук Світлана Григорівна
МПК: G01J 5/20, G01J 1/42, H01L 27/142 ...
Мітки: переходом, вбудованим, приймач, напівпровідниковий, випромінювання
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.
Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 19435
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Лисюк Ігор Олександрович, Сизов Федір Федорович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Гузенко Генадій Олексійович
МПК: G01R 1/00
Мітки: зондова, установка, характеристик, напівпровідникових, структур, електрофізичних, вимірювання
Формула / Реферат:
Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...