H01L 27/142 — пристрої перетворення енергії

Номер патенту: 113128

Опубліковано: 10.01.2017

Автори: Щокіна Вікторія Андріївна, Суржик Тамила Володимирівна, Рєзцов Віктор Федорович, Кучинський Владислав Петрович

МПК: H01L 31/042, H01L 31/00, H01L 27/142 ...

Мітки: комбінований, модуль, фототермічний

Формула / Реферат:

Комбінований фототермічний модуль (ФТМ) з примусовим повітряним охолодженням, який містить складений теплоізольований знизу рамний корпус, пластини фотоперетворювача, що встановлені між верхнім світлопрозорим покриттям і нижньою тепловідвідною панеллю, які зроблені з листів стільникового полікарбонату та мають на нижній тепловідвідній панелі герметичні камери з патрубками для входу і виходу теплоносія, який відрізняється тим, що крім вхідної...

Номер патенту: 108104

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Забудський Вячеслав Володимирович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Цибрій Зіновія Федорівна, Бунчук Світлана Григорівна, Голенков Олександр Генадійович, Сизов Федір Федорович, Смолій Марія Іванівна

МПК: H01L 31/04, G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...

Мітки: напівпровідниковий, діапазонів, спектра, випромінювання, приймач, дводіапазонний

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...

Номер патенту: 100696

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Голенков Олександр Геннадійович, Духнін Сергій Євгенійович, Сизов Федір Федорович, Шевчик-Шекера Анна Володимирівна, Забудський Вячеслав Володимирович

МПК: H01L 27/142, H01L 31/00, G01J 1/42 ...

Мітки: випромінювання, субтерагерцового, спектра, приймальний, пристрій, діапазонів, терагерцового, реєстрації

Формула / Реферат:

Приймальний пристрій для реєстрації випромінювання терагерцового та субтерагерцового діапазонів спектра, що містить напівпровідниковий CdxHg1-xTe (0,17£х£0,3) болометр, який відрізняється тим, що додатково має дві асферичні лінзи з тефлону, які фокусують випромінювання на болометр, та підключений до виходу болометра зовнішній підсилювач.

Номер патенту: 106366

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Апатська Марія Володимирівна, Сизов Федір Федорович, Смолій Марія Іванівна, Красільніков Дмитро Сергійович

МПК: H01L 31/0248, H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: міліметрового, субміліметрового, діапазонів, приймач

Формула / Реферат:

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент, виконаний у вигляді епітаксійної тонкої плівки матеріалу CdxHg1-xTe зі складом 0,17≤х≤0,3, нанесеної на монокристалічну напівпровідникову підкладку зі струмовими контактами, і схему зміщення, який відрізняється тим, що приймач додатково містить підкладку з відносною діелектричною проникністю ε≤5, діелектричними втратами...

Номер патенту: 98524

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Дмитрук Надія Вікторівна, Добровольський Валентин Миколайович, Смолій Марія Іванівна, Сизов Федір Федорович, Апатська Марія Володимирівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Цибрій Зіновія Федорівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Бунчук Світлана Григорівна

МПК: H01L 31/02, H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: вбудованим, випромінювання, переходом, приймач, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.

Номер патенту: 94561

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович, Осипьонок Микола Михайлович

МПК: B41F 15/00, H01L 27/142, H01L 21/20 ...

Мітки: суцільних, методом, трафаретного, спосіб, нанесення, шарів, друку

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення суцільних шарів для створення сонячних елементів на основі напівпровідникових сполук шляхом трафаретного друку з пасти, яка містить напівпровідниковий матеріал та зв'язувальну речовину (біндер), який відрізняється тим, що пасту наносять безпосередньо на поверхню підкладки, трафарет виконують у вигляді односпрямованих дротів або волокнин, або стрічок у кількості не менше двох, які кріплять або притискають до підкладки...

Номер патенту: 89075

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Добровольський Валентин Миколайович, Каменєв Юрій Юхимович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/142, G01J 1/42, G01J 5/20 ...

Мітки: болометр, діапазонів, міліметрового, напівпровідниковий, субміліметрового

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент зі струмовими контактами та схему зміщення, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використовують тонкий шар напівпровідника Hg(1-x)CdxTe, де х знаходиться в межах 0,17  х  0,3, а лінійні розміри...

Номер патенту: 86625

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович

МПК: G01J 5/20, H01L 31/00, G01J 1/42, H01L 27/142 ...

Мітки: болометр, гарячих, заряду, носіях, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду, який містить чутливе до випромінювання тіло болометра, виконане у вигляді пластини з двома омічними контактами на торцях, який відрізняється тим, що чутливе тіло виконане із біполярного напівпровідника, концентрація дірок і електронів якого відрізняється не більше ніж у 10 разів, ефективна маса дірок перевищує ефективну масу електронів не менше ніж у 10 разів і відстань між контактами b,...

Номер патенту: 81599

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Ліндсі Джонатан С., Меєр Джеральд Дж.

МПК: H01L 29/02, H01L 27/142, H01L 31/0256 ...

Мітки: містять, світлопоглинальні, елементи, сонячні, ланцюги

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент, який містить(а) першу підкладку, що містить перший електрод,(б) другу підкладку, що містить другий електрод, де перша і друга підкладки розташовані на відстані одна від одної, і принаймні одна з пар (і) перша підкладка і перший електрод і (іі) друга підкладка і другий електрод, є прозорою;(в) шар світлопоглинальних стрижнів з'єднаний електрично  з першим електродом, де кожен з світлопоглинальних...