Бунчук Світлана Григорівна
Дводіапазонний напівпровідниковий приймач випромінювання для іч та тгц/суб-тгц діапазонів спектра
Номер патенту: 108104
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Петряков Володимир Олексійович, Цибрій Зіновія Федорівна, Голенков Олександр Генадійович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Бунчук Світлана Григорівна, Смолій Марія Іванівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Сизов Федір Федорович
МПК: G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...
Мітки: діапазонів, приймач, напівпровідниковий, спектра, дводіапазонний, випромінювання
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...
Напівпровідниковий приймач тгц/суб-тгц випромінювання з вбудованим p-n переходом
Номер патенту: 98524
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Забудський Вячеслав Володимирович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Дмитрук Надія Вікторівна, Смолій Марія Іванівна, Бунчук Світлана Григорівна, Сизов Федір Федорович, Цибрій Зіновія Федорівна, Добровольський Валентин Миколайович, Апатська Марія Володимирівна
МПК: G01J 5/20, G01J 1/42, H01L 27/142 ...
Мітки: приймач, випромінювання, вбудованим, напівпровідниковий, переходом
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.