Смолій Марія Іванівна

Номер патенту: 108104

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович, Забудський Вячеслав Володимирович, Цибрій Зіновія Федорівна, Петряков Володимир Олексійович, Голенков Олександр Генадійович, Бунчук Світлана Григорівна, Смолій Марія Іванівна

МПК: G01J 1/42, G01J 5/20, H01L 27/142 ...

Мітки: приймач, напівпровідниковий, спектра, діапазонів, випромінювання, дводіапазонний

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...

Номер патенту: 106366

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Смолій Марія Іванівна, Апатська Марія Володимирівна, Красільніков Дмитро Сергійович, Сизов Федір Федорович, Петряков Володимир Олексійович

МПК: G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...

Мітки: субміліметрового, міліметрового, діапазонів, приймач

Формула / Реферат:

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент, виконаний у вигляді епітаксійної тонкої плівки матеріалу CdxHg1-xTe зі складом 0,17≤х≤0,3, нанесеної на монокристалічну напівпровідникову підкладку зі струмовими контактами, і схему зміщення, який відрізняється тим, що приймач додатково містить підкладку з відносною діелектричною проникністю ε≤5, діелектричними втратами...

Номер патенту: 98524

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Апатська Марія Володимирівна, Сизов Федір Федорович, Цибрій Зіновія Федорівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Смолій Марія Іванівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Дмитрук Надія Вікторівна, Добровольський Валентин Миколайович, Бунчук Світлана Григорівна

МПК: H01L 27/142, G01J 1/42, G01J 5/20 ...

Мітки: приймач, переходом, напівпровідниковий, випромінювання, вбудованим

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.

Номер патенту: 20879

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Смолій Марія Іванівна

МПК: A01N 25/00

Мітки: захворювань, грибкових, захисту, препарат, рослин

Формула / Реферат:

Применение водного раствора 2-метил-5-нитро-1-имидазолэтанола (метронидазола) в 0,005-0,02% концентрации в качестве препарата для защиты растений от грибковых заболеваний.