Добровольський Валентин Миколайович
Напівпровідниковий приймач тгц/суб-тгц випромінювання з вбудованим p-n переходом
Номер патенту: 98524
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Дмитрук Надія Вікторівна, Апатська Марія Володимирівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Бунчук Світлана Григорівна, Добровольський Валентин Миколайович, Сизов Федір Федорович, Смолій Марія Іванівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Цибрій Зіновія Федорівна
МПК: G01J 1/42, H01L 27/142, G01J 5/20 ...
Мітки: вбудованим, випромінювання, напівпровідниковий, переходом, приймач
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.
Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів
Номер патенту: 89075
Опубліковано: 25.12.2009
Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович, Каменєв Юрій Юхимович
МПК: H01L 27/142, G01J 1/42, G01J 5/20 ...
Мітки: міліметрового, субміліметрового, діапазонів, напівпровідниковий, болометр
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент зі струмовими контактами та схему зміщення, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використовують тонкий шар напівпровідника Hg(1-x)CdxTe, де х знаходиться в межах 0,17 х 0,3, а лінійні розміри...
Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду
Номер патенту: 86625
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович
МПК: G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...
Мітки: напівпровідниковий, заряду, носіях, гарячих, болометр
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду, який містить чутливе до випромінювання тіло болометра, виконане у вигляді пластини з двома омічними контактами на торцях, який відрізняється тим, що чутливе тіло виконане із біполярного напівпровідника, концентрація дірок і електронів якого відрізняється не більше ніж у 10 разів, ефективна маса дірок перевищує ефективну масу електронів не менше ніж у 10 разів і відстань між контактами b,...