Арсенюк Інна Олександрівна
Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-snte:bi на підкладках слюди
Номер патенту: 97315
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Арсенюк Інна Олександрівна, Маковишин Володимир Ігорович
МПК: B82B 3/00
Мітки: p-snte:bi, слюди, отримання, матеріалу, тонкоплівкового, спосіб, підкладках, термоелектричного, основі
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування і температурі осадження