Патенти з міткою «p-snte:bi»
Спосіб отримання напівпровідникових структур p-snte:bi на ситалових підкладках
Номер патенту: 97317
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович
МПК: B82B 3/00
Мітки: отримання, структур, p-snte:bi, ситалових, спосіб, напівпровідникових, підкладках
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...
Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-snte:bi на підкладках слюди
Номер патенту: 97315
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Дзундза Богдан Степанович, Арсенюк Інна Олександрівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: термоелектричного, отримання, матеріалу, підкладках, основі, слюди, тонкоплівкового, спосіб, p-snte:bi
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування і температурі осадження