Патенти з міткою «слюди»

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ростислав Святославович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: B82B 3/00, C01B 19/00, C01G 30/00 ...

Мітки: високою, термо-е.р.с, слюди, наноструктур, snte:sb, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Номер патенту: 102226

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: слюди, високою, питомою, термоелектричною, потужністю, отримання, спосіб, наноструктур, snte:sb

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричною, отримання, високою, спосіб, наноструктур, питомою, слюди, потужністю, snte:sb

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Номер патенту: 97315

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Арсенюк Інна Олександрівна, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, тонкоплівкового, матеріалу, p-snte:bi, термоелектричного, підкладках, слюди, основі, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування  і температурі осадження

Номер патенту: 18236

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 25/18

Мітки: слюди, орієнтованих, спосіб, нанокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів АIV ВIV на слюді методом газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що як підкладки використовують сколи (0001) слюди-мусковіту, на яких ростуть орієнтовані площинами {111} нанокристалічні тетраедри.

Номер патенту: 13571

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Волянський Юрій Леонідович, Драч Максим Іванович, Лиманська Ольга Юріївна, Лиманська Людмила Олександрівна, Руденко Станіслав Станіславович, Лиманський Олександр Петрович, Клімов Олег Іванович

МПК: B28D 1/00, C12Q 1/68, C12Q 1/04 ...

Мітки: слюди, мікроскопі, субстрату, модифікації, атомно-силової, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб модифікації слюди, субстрату для атомно-силової мікроскопії, що включає створення схеми одержання модифікованої слюди з регульованою поверхневою щільністю аміногруп за допомогою 3-амінопропілтриетоксисилану (АПТЕС) в газовій фазі, який відрізняється тим, що використовують трикратну дистиляцію АПТЕС (для амінослюди з підвищеною щільністю заряду) і неперегнаний АПТЕС (для амінослюди зі зниженою щільністю заряду) за наведеним протоколом...