Бендеберя Геннадій Миколайович

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 105345

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Зеня Ігор Михайлович, Сліпченко Микола Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Бендеберя Геннадій Миколайович, Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Галат Олександр Борисович

МПК: H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, шотткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...