Старжинський Микола Григорович

Номер патенту: 105345

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Галат Олександр Борисович, Зеня Ігор Михайлович, Бендеберя Геннадій Миколайович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Жуков Олександр Вікторович, Сліпченко Микола Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: H01L 31/06

Мітки: бар'єром, шотткі, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Жуков Олександр Вікторович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: сцинтиляційних, селеном, активованих, спосіб, цинку, сульфіду, термообробки, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Зеня Ігор Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович, Малюкін Юрій Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 29/48

Мітки: матеріал, цинку, сцинтиляційний, основі, сульфіду

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Зеня Ігор Михайлович, Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційного, матеріалу, основі, селеніду, активованого, спосіб, одержання, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, термообробки, цинку, селеніду, активованих, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/00, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: цинку, селеніду, активованих, спосіб, термообробки, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бендеберя Генадій Миколайович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: вимірювання, пристрій, ультрафіолетового, активного, біологічно, випромінювання, персональний

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Номер патенту: 77896

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Йон Кюн Кім, Сілін Віталій Іванович, Спасов Володимир Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Нагора Людмила Лаврентіївна, Джон Кьон Кім

МПК: G01N 23/02, G01N 23/22

Мітки: атомного, значенням, ефективного, номера, виявлення, речовини, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера, що включає просвічування об'єкта дослідження рентгенівським випромінюванням і реєстрацію випромінювання, що пройшло через об'єкт, сцинтиляційними детекторами, які встановлюють у послідовності таким чином, що попередній детектор є енергетичним фільтром для наступних, з подальшим аналого-цифровим перетворенням і обробкою електричних сигналів, отриманих від зазначених...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: основі, матеріалу, спосіб, одержання, сцинтиляційного, цинку, халькогенідів, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 33/02

Мітки: спосіб, ізовалентною, сцинтиляційного, матеріалу, кристала, цинку, домішкою, термообробки, легованого, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: активованого, напівпровідникового, цинку, основі, матеріалу, сцинтиляційного, спосіб, одержання, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: цинку, n-типу, матеріалу, напівпровідникового, одержання, спосіб, селеніду, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: селеніду, цинку, активованого, спосіб, сцинтилятора, телуром, одержання, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 44547

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Козин Дмитро Миколайович, Байбіков Вадим Володимирович, Гальчинецький Леонід Павлович, Свищ Володимир Митрофанович

МПК: G01T 1/202

Мітки: інтроскопії, детектувальна, система, рентгенівської

Формула / Реферат:

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії, що містить послідовно розташовані низькоенергетичний та високоенергетичний сцинтиляційні детектори, а також фільтр, яка відрізняється тим, що сцинтилятор низькоенергетичного детектора та фільтр з'єднані у єдиний елемент, виконаний з кристала ZnSe(Te).

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Файнер Михайло Шайович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/46

Мітки: спосіб, оптичних, цинку, термообробки, селеніду, елементів

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.