Патенти з міткою «уф-фотодіод»

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 105345

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Старжинський Микола Григорович, Галат Олександр Борисович, Зеня Ігор Михайлович, Бендеберя Геннадій Миколайович, Жуков Олександр Вікторович, Гриньов Борис Вікторович, Сліпченко Микола Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, шотткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Білецький Микола Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, бар'єром, шотткі

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...