Трубаєва Ольга Геннадіївна

Номер патенту: 105345

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Бендеберя Геннадій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Галат Олександр Борисович, Сліпченко Микола Іванович, Жуков Олександр Вікторович

МПК: H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, шотткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Жуков Олександр Вікторович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: термообробки, активованих, селеном, цинку, кристалів, сцинтиляційних, спосіб, сульфіду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Зеня Ігор Михайлович, Малюкін Юрій Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: матеріал, основі, сульфіду, цинку, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Жуков Олександр Вікторович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційного, матеріалу, основі, активованого, селеніду, спосіб, одержання, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/00 ...

Мітки: термообробки, активованих, цинку, селеніду, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...