Патенти з міткою «бар’єром»

Номер патенту: 119116

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Дмитрієв Вадим Сергійович, Дмитрієва Любов Борисівна

МПК: H01L 29/47

Мітки: бар'єром, спосіб, шотткі, виготовлення, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення контакту з бар'єром Шотткі Ag/n-GaAs, що включає знежирення пластини GaAs, хімічне полірування, напилення на підкладку срібла крізь спеціальні молібденові маски методом вакуумного випаровування, який відрізняється тим, що пластини n-GaAs з nе.ш.=1015…1017 см-3 після хімічного полірування послідовно промивають в гарячій і холодній дистильованій і деіонізованій воді, витримують у діоксиянтарній кислоті, промивають в...

Номер патенту: 95094

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Дмитрієв Вадим Сергійович

МПК: H01L 29/47

Мітки: галію, арсеніді, виготовлення, спосіб, контактів, бар'єром, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення контакту з бар'єром Шотткі на арсеніді галію GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування випрямляючих контактів з Ag до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2O2-1H2O, витримують у винній кислоті продовж 15-25 хв., промивають в етиловому...

Номер патенту: 105345

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Жуков Олександр Вікторович, Бендеберя Геннадій Миколайович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Галат Олександр Борисович, Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Сліпченко Микола Іванович

МПК: H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, шотткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...

Номер патенту: 72164

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Рижков Микола Ігорович, Маруненко Юрій Володимирович, Крицька Тетяна Володимирівна, Березюк Федір Борисович, Зоренко Олександр Вольтович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: G01R 23/02

Мітки: бар'єром, частот, шотткі, надвисоких, змішувач, планарному, діоді

Формула / Реферат:

Змішувач надвисоких частот на планарному діоді з бар'єром Шотткі, що містить активний параметричний елемент - безкорпусний діод з бар'єром Шотткі, який виконаний з плоскими смужковими виводами і з'єднаний анодним кінцем з узгодженою смужковою лінією передачі, розміщеною вздовж симетричної і паралельно вузькій стороні хвилеводу з пристроями для подавання сигналів, які приймаються приймачем та гетеродином, узгоджену з активним елементом...

Номер патенту: 96463

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Тавіль Анрі, Люше-Пуієрі Каролін, Буйон Ерік

МПК: C04B 41/89, F01D 5/28, C04B 11/00 ...

Мітки: навколишнього, компонент, основу, матрицею, основі, захисту, деталь, матеріалу, утворений, середовища, композитного, бар'єром, бар'єра, дії, містить, формування, керамічною, яка, деталлю, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування бар'єра для захисту від дії навколишнього середовища для основи з композитного матеріалу з керамічною матрицею, що містить кремній, який включає формування антикорозійного захисного шару, що містить сполуку типу алюмосилікату лужного або лужноземельного, або рідкісноземельного елемента, який відрізняється тим, що між основою і антикорозійним захисним шаром формують шар з нітриду алюмінію, який створює хімічний...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Білецький Микола Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, шотткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Шабашкевич Борис Григорович, Воронкін Євген Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0216, H01L 31/0264 ...

Мітки: спектра, діапазоні, ультрафіолетовому, фотодіод, шотткі, чутливий, бар'єром

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: шотткі, спектра, чутливий, діапазоні, фотодіод, ультрафіолетовому, бар'єром

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Номер патенту: 55798

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Литвиненко Сергій Вікторович, Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 29/40

Мітки: спосіб, виготовлення, бар'єром, діода, структур, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур діода з бар'єром Шотткі, що включає осадження нітриду і двооксиду кремнію на кремнієві пластини, фотолітографію, травлення меза-структур і їх термічне окислення, видалення нітриду кремнію з контактних майданчиків і формування на них випрямляючих контактів, який відрізняється тим, що перед видаленням нітриду кремнію проводять дифузію бору в робочу сторону пластин при Т = 950 -1050°С протягом 20-30 хвилин в...

Номер патенту: 35621

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Уайт Деніел Кім, Рікербі Девід Стаффорд, Белл Стенлі Рассел

МПК: C23C 28/00, C23C 14/08

Мітки: тепловим, нанесення, бар'єром, покриття, багатошарове, яке, служить, виробу, спосіб, суперсплаву

Формула / Реферат:

1. Многослойное покрытие, служащее тепловым барьером, для изделия из суперсплава, содержащее связующее покрытие, тонкий окисный слой и изолирующее керамическое покрытие, причем связующее покрытие включает покрытие из содержащего алюминий сплава, расположенное на изделии из суперсплава, и покрытие, состоящее в основном из по крайней мере одного алюминида металла группы платины, расположенное на покрытии из содержащего алюминий сплава, тонкий...

Номер патенту: 35620

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Белл Стенлі Рассел, Рікербі Девід Стаффорд, Уінг Родні Джордж

МПК: C23C 10/00, C23C 10/60, C23C 14/08 ...

Мітки: нанесення, варіанти, виріб, спосіб, багатошарове, одержане, багатошарового, служить, цим, суперсплаву, бар'єром, способом, тепловим, покриття

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения многослойного покрытия, служащего тепловым барьером, на изделие из суперсплава, включающий нанесение слоя металла группы платины на изделие из суперсплава, термообработку изделия из суперсплава с нанесенным покрытием из металла группы платины и нанесение керамического покрытия, отличающийся тем, что для диффузии металла группы платины в изделие из суперсплава и создания на изделии внешнего слоя, обогащенного металлом...

Номер патенту: 27246

Опубліковано: 15.08.2000

Автори: Коджеспірова Іна Федорівна, Горев Микола Борисович, Еппель Володимир Ілліч, Уколов Олексій Тихонович, Прохоров Євген Федорович, Макарова Тетяна Викторівна

МПК: H01L 21/66

Мітки: бар'єром, глибоких, центрів, шоткі, транзисторах, незаповнених, концентрації, спосіб, польових, визначення

Текст:

...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...

Номер патенту: 16522

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Петровський Олег Іванович, Кохан Валентин Петрович, Феоклістов Володимир Юр'євич, Босий Віталій Ісайович, Іващук Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/30

Мітки: виготовлення, транзисторів, польових, шотткі, бар'єром, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий последовательное формирование на подложке n и n+ слоев и слоя диэлектрика, формирование истока и стока, выполнение литографии затвора, удаление на открытых участках диэлектрика и n+ слоя, формирование затвора путем вакуумного напыления и испарителя, взрывную литографию, отличающийся тем, что, с целью снижения шумов полевых транзисторов с барьером Шоттки за счет уменьшения...

Номер патенту: 16376

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Конопальцева Людмила Іванівна, Бабак Олександр Костянтинович, Стріха Віталій Іларіонович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач, шоткі, багатоелементний, бар'єром

Формула / Реферат:

1. Многоэлементный фотоприемник с барьером Шоттки, содержащий полупроводниковый слой, на одной поверхности которого расположены две группы металлических или квазиметаллических электродов, снабженных электрическими выводами, причем по крайней мере часть электродов образует с полупроводниковым слоем барьер Шоттки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения многоканальной регистрации оптического излучения, один из электродов выполнен общим и не...

Номер патенту: 16878

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Данилов Миколай Григорович, Іващук Анатолій Васильович, Кохан Валентин Петрович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/28

Мітки: шоткі, структур, польових, транзисторів, бар'єром, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур полевых транзисторов с барьером Шотки, включающий формирование на полупроводниковой подложке активного и контактного слоев, вытравливание меза-структур, формирование областей истока и стока, вытравливание в области затвора контактного и части активного слоев, формирование барьерной части затворного электрода, формирование контактной части затворного электрода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента...

Номер патенту: 7499

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Цвірко Юрій Антонович, Іванов Володимир Миколайович, Яшнік Владілен Макарович, Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович

МПК: H01L 29/40

Мітки: шотткі, галлія, арсеніду, контакт, бар'єром