Жуков Олександр Вікторович
Уф-фотодіод з бар’єром шотткі
Номер патенту: 105345
Опубліковано: 25.04.2014
Автори: Галат Олександр Борисович, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Бендеберя Геннадій Миколайович, Старжинський Микола Григорович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Сліпченко Микола Іванович, Зеня Ігор Михайлович
МПК: H01L 31/06
Мітки: шотткі, бар'єром, уф-фотодіод
Формула / Реферат:
1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...
Спосіб термообробки сцинтиляційних кристалів сульфіду цинку, активованих селеном
Номер патенту: 104701
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Зеня Ігор Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович
МПК: C30B 33/02, C30B 29/48
Мітки: сцинтиляційних, сульфіду, термообробки, кристалів, цинку, активованих, спосіб, селеном
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.
Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку
Номер патенту: 102784
Опубліковано: 12.08.2013
Автори: Жуков Олександр Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Малюкін Юрій Вікторович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович
МПК: C30B 29/48
Мітки: матеріал, цинку, основі, сцинтиляційний, сульфіду
Формула / Реферат:
Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...
Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку
Номер патенту: 102783
Опубліковано: 12.08.2013
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Зеня Ігор Михайлович
МПК: C30B 29/48
Мітки: сцинтиляційного, селеніду, цинку, спосіб, активованого, матеріалу, одержання, основі
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.