C01B 32/25 — C01B 32/25

Номер патенту: 121728

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Полторацький Володимир Григорович, Петасюк Григорій Андрійович, Лещенко Ольга Володимирівна, Бочечка Олександр Олександрович, Лавріненко Валерій Іванович, Білоченко Василь Панасович, Грищенко Григорій Степанович, Ситник Борис Васильович

МПК: C01B 32/25, C01B 32/20

Мітки: надтвердого, матеріалу, спосіб, композиційного, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення композиційного надтвердого матеріалу, що включає попередню обробку вихідних порошків вуглецевмісним газом під час фізико-хімічного синтезу з наступним виготовленням з нього шліфпорошків, який відрізняється тим, що за вихідні порошки беруть відходи гранильного виробництва природних алмазів та шліфпорошки синтетичних алмазів марок ЛС2-АС4 зернистістю 50/40-80/63, які обробляють розчином полівінілового в етиловому спирті...

Номер патенту: 121678

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Грищенко Григорій Степанович, Ситник Борис Васильович, Петасюк Григорій Андрійович, Полторацький Володимир Григорович, Бочечка Олександр Олександрович, Лавріненко Валерій Іванович, Лещенко Ольга Володимирівна, Білоченко Василь Панасович

МПК: C01B 32/25, C09K 3/00

Мітки: композиційного, надтвердого, виготовлення, алмазу, спосіб, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення композиційного надтвердого матеріалу на основі алмазу, що передбачає структурування вихідних компонентів вуглецевим зв'язуючим, що утворюється під час фізико-хімічного синтезу з газу метану, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти беруть суміш алмазів розміром 80-120 мкм, кубічного нітриду бору розміром 3-5 мкм, карбіду бору розміром 60-80 мкм, а структурування вихідних компонентів здійснюється трубчастим...

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Гуцу Ольга Сергіївна, Каленчук Віталій Анатолійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Івахненко Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Бурченя Андрій Віталійович

МПК: C01B 32/25, B01J 3/06

Мітки: спосіб, затравці, стабільності, вирощування, термодинамічно, монокристалів, області, алмазу

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Номер патенту: 114257

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Дударенко Марина Володимирівна, Ільницька Галина Дмитриївна, Позднякова Наталія Георгіївна, Лещенко Ольга Володимирівна, Галкін Максим Олексійович, Борисова Тетяна Олександрівна, Пастухов Артем Олегович, Борисов Арсеній Андрійович

МПК: C01B 32/25, G09B 23/28, C01B 32/15 ...

Мітки: мозку, щурів, детонаційного, отриманих, мембрани, плазматичної, методом, нервових, наноалмазів, головного, деполяризації, синтезу, терміналей, застосування

Формула / Реферат:

Застосування наноалмазів, що отримані методом детонаційного синтезу, для деполяризації плазматичної мембрани нервових терміналей головного мозку щурів.

Номер патенту: 114256

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Позднякова Наталія Георгіївна, Борисов Арсеній Андрійович, Лещенко Ольга Володимирівна, Ільницька Галина Дмитриївна, Галкін Максим Олексійович, Борисова Тетяна Олександрівна, Пастухов Артем Олегович, Дударенко Марина Володимирівна

МПК: C01B 32/15, G09B 23/28, C01B 32/25 ...

Мітки: детонаційного, методом, везикул, терміналях, дисипації, нервових, застосування, щурів, синаптичних, головного, синтезу, градієнта, отриманих, протонного, наноалмазів, мозку

Формула / Реферат:

Застосування наноалмазів, що отримані методом детонаційного синтезу, для дисипації протонного градієнта синаптичних везикул у нервових терміналях головного мозку щурів.

Номер патенту: 114255

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Позднякова Наталія Георгіївна, Лещенко Ольга Володимирівна, Борисов Арсеній Андрійович, Борисова Тетяна Олександрівна, Ільницька Галина Дмитриївна, Дударенко Марина Володимирівна, Галкін Максим Олексійович, Пастухов Артем Олегович

МПК: C01B 32/15, G09B 23/28, C01B 32/25 ...

Мітки: терміналями, глутамату, накопичення, гамк, гамма-аміномасляної, застосування, щурів, синтезу, транспортер-залежного, нервовими, головного, детонаційного, зниження, методом, кислоти, наноалмазів, мозку, отриманих

Формула / Реферат:

Застосування наноалмазів, що отримані методом детонаційного синтезу, для зниження транспортер-залежного накопичення глутамату і гамма-аміномасляної кислоти (ГАМК) нервовими терміналями головного мозку щурів.

Номер патенту: 114254

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Позднякова Наталія Георгіївна, Борисов Арсеній Андрійович, Галкін Максим Олексійович, Дударенко Марина Володимирівна, Ільницька Галина Дмитриївна, Лещенко Ольга Володимирівна, Пастухов Артем Олегович, Борисова Тетяна Олександрівна

МПК: C01B 32/25, G09B 23/28, C01B 32/15 ...

Мітки: препарати, позаклітинного, застосування, мозку, глутамату, отриманих, детонаційного, рівня, щурів, головного, гамма-аміномасляної, кислоти, нервових, збільшення, терміналей, синтезу, методом, наноалмазів

Формула / Реферат:

Застосування наноалмазів, що отримані методом детонаційного синтезу, для збільшення позаклітинного рівня глутамату і гамма-аміномасляної кислоти в препараті нервових терміналей головного мозку щурів.