C01B 33/029 — розкладанням моносілана

Номер патенту: 91973

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Зонненшайн Раймунд, Пьопкен Тім

МПК: C01B 33/027, C01B 33/03, C01B 33/029 ...

Мітки: спосіб, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію високої чистоти шляхом термічного розщеплення суміші, що містить силани та галогеносилани у газовій фазі та осадження суцільного кремнію, який відрізняється тим, що як суміш, що містить силани та галогеносилани, використовують газову суміш, яка містить моносилан, монохлорсилан і додаткові силани, а термічне розщеплення та осадження здійснюють при температурі в інтервалі 600-1250 °С та при тиску від 1 мбар до 100...

Номер патенту: 87672

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Прідьоль Маркус, Віггерс Хартмут, Петрат Франк-Мартін, Рот Пауль, Кремер Міхаель

МПК: C01B 33/03, C01B 33/029, C01B 33/02 ...

Мітки: застосування, кристалічний, одержання, спосіб, кремній, агрегований, порошкоподібний

Формула / Реферат:

1. Агрегований кристалічний порошкоподібний кремній, який відрізняється тим, що він є легованим за допомогою фосфору, арсену, сурми, вісмуту, бору, алюмінію, галію, індію, талію, європію, ербію, церію, празеодиму, неодиму, самарію, гадолінію, тербію, диспрозію, гольмію, тулію, лютецію, літію, ітербію, германію, заліза, рутенію, осмію, кобальту, родію, іридію, нікелю, паладію, платини, міді, срібла, золота, цинку та має площу поверхні БЕТ, яка...

Номер патенту: 85073

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Зонненшайн Раймунд, Адлер Петер, Пірцль Вольфганг

МПК: C01B 33/029, B01J 19/08

Мітки: ультратонких, спосіб, фазі, осадження, частинок, газової, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для термічного розкладання летючих сполук і осадження частинок, що потім утворюються, який включає щонайменше такі характерні ознаки:посудину (1) під тиском,щонайменше одну реакційну трубку (2), відкритий кінець (2с) якої продовжується у посудину під тиском, а інший кінець якої розташований зовні посудини під тиском і забезпечений засобом подання (3) газу, поздовжня вісь реакційної трубки орієнтована у напрямі сили...

Номер патенту: 72279

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Бухгольц Зігурд, Херольд Хейко, Млечко Леслав

МПК: C01B 33/035, C01B 33/027, C01B 33/029 ...

Мітки: одержання, високочистого, спосіб, кремнію, гранульованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого гранульованого кремнію розкладанням газу, що містить сполуки кремнію, який відрізняється тим, що вказане розкладання виконують при тиску 100-900 мбар, розкладання виконують в присутності частинок, через які газ, що містить сполуки кремнію, проходить таким чином, що частинки піддаються псевдозрідженню і утворюють псевдозріджений шар, причому співвідношення між швидкістю потоку газу, що містить сполуки кремнію,...

Номер патенту: 49463

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Свірідєнко Дмітрій Івановіч, Петрик Адольф Гаврилович, Шварцман Леонід Якович, Касаткін Юрій Алєксандровіч

МПК: C01B 33/029

Мітки: полікристалічного, замкнутому, одержання, кремнію, циклу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію по замкнутому циклу, який містить стадії синтезу хлорсиланів у реакторі "киплячого шару" часток технічного кремнію, з одержанням парогазової суміші, яка містить переважно трихлорсилан і тетрахлорид кремнію та побічні продукти реакції, диспропорціювання трихлорсилану, одержаного на стадії синтезу хлорсиланів у реакційній колоні, що має зону диспропорціювання, з утворенням моносилану і...