Зонненшайн Раймунд

Реактор із псевдозрідженим шаром, його застосування та спосіб енергонезалежного гідрування хлорсиланів

Завантаження...

Номер патенту: 101400

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Зонненшайн Раймунд, Тролл Харальд, Адлер Петер

МПК: B01J 8/24, C01B 33/107, B01J 8/18 ...

Мітки: хлорсиланів, застосування, псевдозрідженим, гідрування, спосіб, енергонезалежного, шаром, реактор

Формула / Реферат:

1. Реактор із псевдозрідженим шаром для безперервного гідрування вищих хлорсиланів формули HnSiCl4-n, в якій n=0, 1, 2 або 3, в присутності кремнію, зокрема для одержання хлорсиланів шляхом перетворення в основному кремнію (А), тетрахлориду кремнію (ТХК) (В), водню (С), а також необов'язково хлористоводневого газу та/або хлорного газу (D) і, необов'язково в присутності каталізатора, під тиском від 25 до 55 бар при температурі від 450 до...

Спосіб одержання сонячного елемента, застосування тетрахлориду кремнію у ньому та тонкоплівковий сонячний елемент одержаний цим способом

Завантаження...

Номер патенту: 95942

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Хьоне Ханс-Юрген, Шиллінгер Норберт, Ребер Штефан, Зонненшайн Раймунд, Раулєдер Хартвіг

МПК: C23C 16/24, C23C 16/22, H01L 31/052 ...

Мітки: цим, спосіб, кремнію, одержаний, одержання, елемент, тонкоплівковий, застосування, сонячний, способом, сонячного, елемента, тетрахлориду, ньому

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання сонячного елемента осадженням з парової фази кремнієвої плівки на поверхні субстрату з використанням вихідної речовини на основі кремнію та подальшою обробкою покритого субстрату для формування сонячного елемента, який відрізняється тим, що вказаною вихідною речовиною є тетрахлорид кремнію, а покритий субстрат:- очищають та текстурують,- потім дифундують з парової фази або іншого джерела легуючі добавки при...

Спосіб одержання кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 91973

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Пьопкен Тім, Зонненшайн Раймунд

МПК: C01B 33/027, C01B 33/029, C01B 33/03 ...

Мітки: спосіб, одержання, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію високої чистоти шляхом термічного розщеплення суміші, що містить силани та галогеносилани у газовій фазі та осадження суцільного кремнію, який відрізняється тим, що як суміш, що містить силани та галогеносилани, використовують газову суміш, яка містить моносилан, монохлорсилан і додаткові силани, а термічне розщеплення та осадження здійснюють при температурі в інтервалі 600-1250 °С та при тиску від 1 мбар до 100...

Пристрій та спосіб для одержання силанів

Завантаження...

Номер патенту: 91346

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Пьопкен Тім, Каснітц Джон, Адлер Петер, Зонненшайн Раймунд

МПК: B01J 8/02, B01D 3/00, C01B 33/107 ...

Мітки: пристрій, спосіб, одержання, силанів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання силанів загальної формули HnSiCl4-n, де n=1, 2, 3 і/або 4, дисмутацією принаймні одного відносно сильно хлорованого силану в присутності каталізатора, який розміщений на принаймні одній дистиляційній колоні (1), яка має нижню частину (1.1) та верхню частину (1.2), принаймні один бічний реактор (2) з шаром каталізатора (3), принаймні один впускний канал (1.3) для реагенту, випускний канал (1.4) для виведення продукту...

Установка та спосіб безперервного виробництва моносилану та тетрахлориду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 89438

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Зонненшайн Раймунд, Шварцманн Леонід, Касаткін Юрій, Петрік Адольф, Адлер Петер

МПК: B01J 8/02, B01J 8/00, C01B 33/04 ...

Мітки: безперервного, тетрахлориду, моносилану, установка, виробництва, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Установка для безперервного виробництва моносилану та тетрахлориду кремнію шляхом каталітичного диспропорціонування трихлорсилану при робочій температурі та тиску від 1 до 50 бар абс., що містить такі елементи:- протиточний реактор (1), що має подвійну стінку (2),- щонайменше один шар каталізатора (4), розташованого у протиточному реакторі (1) та оснащеного каталізатором (3),- конденсатор (5) у верхній частині...

Пристрій і спосіб для осадження ультратонких частинок з газової фази

Завантаження...

Номер патенту: 85073

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Зонненшайн Раймунд, Пірцль Вольфганг, Адлер Петер

МПК: B01J 19/08, C01B 33/029

Мітки: спосіб, частинок, осадження, фазі, газової, ультратонких, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для термічного розкладання летючих сполук і осадження частинок, що потім утворюються, який включає щонайменше такі характерні ознаки:посудину (1) під тиском,щонайменше одну реакційну трубку (2), відкритий кінець (2с) якої продовжується у посудину під тиском, а інший кінець якої розташований зовні посудини під тиском і забезпечений засобом подання (3) газу, поздовжня вісь реакційної трубки орієнтована у напрямі сили...