C01B 33/03 — розкладанням галогенідів кремнію або галогенсіланов або відновленням їх воднем в якості єдиного восстанавливающего агента

Номер патенту: 103480

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Аунер Норберт, Баух Крістіан, Дельчев Румен, Моссені-Ала Сеєд-Жавад, Ліппольд Герд, Гебель Торальф

МПК: C01B 33/037, C01B 33/03

Мітки: спосіб, кремній, одержання, галогенідвмісний, застосування

Формула / Реферат:

1. Галогенідвмісний гранульований кремній, який одержаний термічним розщепленням галогенізованого полісилану і має вміст галогеніду, що становить 1 ат. % -50 ат. %.2. Галогенідвмісний кремній за п. 1, який відрізняється тим, що має об'ємну густину, що становить 0,2-1,5 г/см3.3. Галогенідвмісний кремній за будь-яким із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що має розмір зерен, що становить 50-20000 мкм.4....

Номер патенту: 96268

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Лорд, Стівен М.

МПК: B01D 53/34, C01B 33/00, B01D 53/75 ...

Мітки: способи, карбонових, фосфорних, виготовлення, видалення, установці, домішок, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб видалення карбонових і/або фосфорних домішок з установки для виготовлення кремнію, в якому охолоджують потік вихідного газу реактора, який містить, головним чином, галогеносилани, гідроген і гідрогалогеніди, конденсують більше 50 % галогеносиланів, відділяють переважну частину несконденсованого газу з конденсованої рідини і пропускають частину або весь газ через мембранну систему для видалення більше 10 % будь-яких карбонових і/або...

Номер патенту: 95974

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Арвідсон Арвід Ніл, Молнар Майкл

МПК: B01J 8/18, C01B 33/03, C01B 33/035 ...

Мітки: варіанти, спосіб, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію, який включає: 1) забезпечення одного або декількох реакторів Сіменса, кожний з яких містить U-подібний стрижень та має температуру від 700 до 1400 °C, 2) осадження полікристалічного кремнію на U-подібний стрижень, 3) подачу потоку відхідного газу, що має концентрацію хлорсиланів в діапазоні від 20 мол. % до 50 мол. %, з одного або декількох реакторів Сіменса в один або декілька реакторів з псевдозрідженим шаром,...

Номер патенту: 91973

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Зонненшайн Раймунд, Пьопкен Тім

МПК: C01B 33/03, C01B 33/029, C01B 33/027 ...

Мітки: кремнію, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію високої чистоти шляхом термічного розщеплення суміші, що містить силани та галогеносилани у газовій фазі та осадження суцільного кремнію, який відрізняється тим, що як суміш, що містить силани та галогеносилани, використовують газову суміш, яка містить моносилан, монохлорсилан і додаткові силани, а термічне розщеплення та осадження здійснюють при температурі в інтервалі 600-1250 °С та при тиску від 1 мбар до 100...

Номер патенту: 87672

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Кремер Міхаель, Рот Пауль, Петрат Франк-Мартін, Віггерс Хартмут, Прідьоль Маркус

МПК: C01B 33/06, C01B 33/02, C01B 33/029, C01B 33/03 ...

Мітки: кристалічний, застосування, кремній, порошкоподібний, агрегований, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Агрегований кристалічний порошкоподібний кремній, який відрізняється тим, що він є легованим за допомогою фосфору, арсену, сурми, вісмуту, бору, алюмінію, галію, індію, талію, європію, ербію, церію, празеодиму, неодиму, самарію, гадолінію, тербію, диспрозію, гольмію, тулію, лютецію, літію, ітербію, германію, заліза, рутенію, осмію, кобальту, родію, іридію, нікелю, паладію, платини, міді, срібла, золота, цинку та має площу поверхні БЕТ, яка...

Номер патенту: 73847

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Карєлін Алєксандр Івановіч, Карєлін Владімір Алєксандровіч, Домашев Євген Дмитрович, Абубекєров Равіль Абдурахімович

МПК: C01B 33/03, C01B 33/021, C01B 33/037, C01B 33/02 ...

Мітки: порошку, відділення, високолетких, домішок, фторидів, кремнію, спосіб, тетрафториду, одержання, кисню

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання тетрафториду кремнію, що полягає в тому, що здійснюють фторування природних кремнієвмісних концентратів з 97,0 - 99,998 % мас. SiO2 у дві наступні стадії, що протікають незалежно без поділу продуктів реакцій:- на 1-ій стадії фторування проводять у факелі при 1500 - 2000 °С з надлишком елементного фтору 15-20 % мас. щодо стехіометрії реакцій фторування з виводом із процесу нелетких фторидів при 100 - 350°С, а...