C01B 33/035 — розкладанням або відновленням газоподібних або випаровуваних сполук кремнію у присутності нагрітих волокон кремнію, вуглецю або тугоплавкого металу, наприклад танталу або вольфраму, або в присутності нагрітих кремнієвих прутків, на які осідає утворюється кремній (при цьому виходить кремнієвий пруток), наприклад процес Сіменса

Номер патенту: 107606

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Троценко Едуард Анатолійович, Шварцман Леонід Якович, Баженов Євгеній Васильович

МПК: C01B 33/035, H01L 21/66

Мітки: спосіб, полікристалічного, відновленням, кремнію, трихлорсилану, водневим, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану, який подають в складі парогазової суміші, на кремнієвих стрижнях, розігрітих електричним струмом до заданої температури їх поверхні, що включає запам'ятовування керованих і керуючих параметрів еталонних режимів ведення процесу, вимірювання параметрів кремнієвих стрижнів, коригування процесу шляхом зміни керуючих параметрів режимів при відхиленні вимірюваних...

Номер патенту: 83364

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Крігер Олександр Сергійович, Голєв Євген Олександрович, Трегуб Олексій Михайлович, Реков Юрій Васильович, Іваніщев Олексій Григорович

МПК: C23C 16/00, C01B 33/035

Мітки: реакторі, полікристалічного, кремнію, кріплення, вирощування, прутків-підкладок, тримач

Формула / Реферат:

1. Тримач для кріплення прутків-підкладок у реакторі вирощування полікристалічного кремнію, який містить перехідник із встановленим у ньому цанговим фіксатором для розміщення прутка-підкладки, що має встановлювальну частину, металевий охолоджуваний струмоввід, з'єднаний з електродом, при цьому струмоввід має приймальне гніздо, в якому розміщена встановлювальна частина перехідника, який відрізняється тим, що глибина приймального гнізда...

Номер патенту: 102244

Опубліковано: 25.06.2013

Автор: Ловцюс Андрєй Альгєрдовіч

МПК: C01B 33/035

Мітки: спосіб, полікристалічного, одержання, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію осадженням з газової фази, що включає подачу в реактор, відновлення через систему патрубків газової суміші на основі газу, що містить кремній і осадження кремнію на нагрітих поверхнях з утворенням газової суміші, що відходить, який відрізняється тим, що процес осадження кремнію здійснюють одночасно в принаймні двох реакторах, які з'єднують між собою послідовно системою патрубків для...

Номер патенту: 100089

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Стубхан Франк, Вольмар Вілфрід

МПК: G01B 11/06, G01B 11/08, C01B 33/035 ...

Мітки: стрижнів, зростання, кремнієвих, показника, реакторі, спосіб, вимірювання, пристрій, товщини, кремнієосаджувальному

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання показника зростання товщини кремнієвих стрижнів в кремнієосаджувальному реакторі на підставі показників пристрою для вимірювання температури, який відрізняється тим, що як пристрій для вимірювання температури використано безконтактний пристрій для вимірювання температури (4), який виконаний з можливістю обертання вздовж осі обертання (5) за допомогою обертаючого приводу (9), при цьому вісь обертання (5) розташована...

Номер патенту: 99570

Опубліковано: 27.08.2012

Автор: Корнмайер Торстен

МПК: C01B 33/035, C30B 25/00

Мітки: конус, осаджувальних, кріпильний, кремнієвих, стержнів

Формула / Реферат:

1. Кріпильний конус для кремнієвих осаджувальних стержнів в реакторах для осаджування полікремнію, виготовлений з графіту, який відрізняється тим, що кріпильний конус включає вісесиметричну основну частину корпусу (2), в центрі верхньої поверхні якої містить цільний кріпильний елемент (3), виконаний з можливістю кріплення кремнієвих осаджувальних стержнів (1), при цьому основна частина корпусу (2) має отвір у формі кришки горщика, виконаний...

Номер патенту: 95974

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Арвідсон Арвід Ніл, Молнар Майкл

МПК: C01B 33/03, C01B 33/035, B01J 8/18 ...

Мітки: одержання, варіанти, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнію, який включає: 1) забезпечення одного або декількох реакторів Сіменса, кожний з яких містить U-подібний стрижень та має температуру від 700 до 1400 °C, 2) осадження полікристалічного кремнію на U-подібний стрижень, 3) подачу потоку відхідного газу, що має концентрацію хлорсиланів в діапазоні від 20 мол. % до 50 мол. %, з одного або декількох реакторів Сіменса в один або декілька реакторів з псевдозрідженим шаром,...

Номер патенту: 72279

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Херольд Хейко, Млечко Леслав, Бухгольц Зігурд

МПК: C01B 33/027, C01B 33/029, C01B 33/035, H01L 31/04 ...

Мітки: гранульованого, високочистого, кремнію, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого гранульованого кремнію розкладанням газу, що містить сполуки кремнію, який відрізняється тим, що вказане розкладання виконують при тиску 100-900 мбар, розкладання виконують в присутності частинок, через які газ, що містить сполуки кремнію, проходить таким чином, що частинки піддаються псевдозрідженню і утворюють псевдозріджений шар, причому співвідношення між швидкістю потоку газу, що містить сполуки кремнію,...