Феделеш Василь Іванович

Номер патенту: 83765

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: випромінювання, основі, галію-індію, модулятора, акустооптичного, лазерного, монокристалів, селеніду, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: застосування, галію-індію, твердого, ga0,4in0,6)2se3, акустооптичного, випромінювання, лазерного, селеніду, модулятора, напівпровідникового, матеріалу, монокристала, розчину

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: монокристала, випромінювання, напівпровідникового, лазерного, модулятора, акустооптичного, селеніду, застосування, розчину, твердого, галію-індію, матеріалу, ga0.3in0.7)2se3

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Номер патенту: 8143

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Туряниця Іван Дмитрович, Височанський Юліан Миронович, Феделеш Василь Іванович, Гурзан Михайло Іванович, Грабар Олександр Олексійович, Сливка Володимир Юлієвич, Юркін Ігор Михайлович

МПК: G02F 1/29

Мітки: розщеплювач, акустооптичний

Формула / Реферат:

Акустооптический расщепитель электромаг­нитного излучения, содержащий активный эле­мент и пьезопреобразователь, отличающийся тем, что, с целью получения управляемой двумерной дифракции электромагнитного излучения и уве­личения числа дифракционных максимумов, ак­тивный элемент выполнен из монокристаллов (PbхSn1-х)2P2S6 и Sn2P2(SexS1-x)6, где 0 < х £ 1 в виде прямоугольного бруска, а пьезопреобразова­тель прикреплен к одной из граней,...