Патенти з міткою «ga0.3in0.7)2se3»
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки
Номер патенту: 34945
Опубліковано: 26.08.2008
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен
МПК: G01K 17/08
Мітки: застосування, пристроїв, розчину, твердого, галію-індію, матеріалу, оптоелектроніки, монокристала, селеніду, ga0.3in0.7)2se3, функціональних, напівпровідникового
Формула / Реферат:
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання
Номер патенту: 77305
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович
Мітки: розчину, застосування, випромінювання, галію-індію, матеріалу, напівпровідникового, ga0.3in0.7)2se3, лазерного, модулятора, монокристала, твердого, акустооптичного, селеніду
Формула / Реферат:
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.