Патенти з міткою «галію-індію»
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію
Номер патенту: 43566
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен
МПК: G01K 17/00
Мітки: основі, матеріал, монокристалів, оптоелектроніки, галію-індію, пристроїв, функціональних, напівпровідникового, твердого, розчину, селеніду
Формула / Реферат:
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.
Матеріал на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію для функціональних пристроїв оптоелектроніки
Номер патенту: 87210
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович
МПК: G02F 1/29
Мітки: напівпровідникового, твердого, розчину, матеріал, оптоелектроніки, функціональних, пристроїв, галію-індію, основі, селеніду
Формула / Реферат:
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію
Номер патенту: 86114
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович
Мітки: основі, монокристалів, твердого, матеріал, розчину, оптоелектроніки, пристроїв, напівпровідникового, галію-індію, функціональних, селеніду
Формула / Реферат:
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки
Номер патенту: 34945
Опубліковано: 26.08.2008
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович
МПК: G01K 17/08
Мітки: розчину, пристроїв, напівпровідникового, галію-індію, твердого, оптоелектроніки, матеріалу, ga0.3in0.7)2se3, селеніду, монокристала, застосування, функціональних
Формула / Реферат:
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.
Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію
Номер патенту: 83765
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович
Мітки: лазерного, монокристалів, основі, селеніду, випромінювання, модулятора, галію-індію, акустооптичного, матеріал
Формула / Реферат:
Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,2in0,8)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки
Номер патенту: 30108
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович
МПК: G01K 17/00
Мітки: матеріалу, селеніду, твердого, галію-індію, розчину, напівпровідникового, монокристала, пристроїв, застосування, оптоелектроніки, ga0,2in0,8)2se3, функціональних
Формула / Реферат:
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga 0,1 in 0,9)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки
Номер патенту: 26301
Опубліковано: 10.09.2007
Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович
МПК: G01K 17/08
Мітки: оптоелектроніки, твердого, пристроїв, селеніду, матеріалу, функціональних, монокристала, застосування, розчину, напівпровідникового, галію-індію, 0,9)2se3
Формула / Реферат:
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,4in0,6)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання
Номер патенту: 25754
Опубліковано: 27.08.2007
Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович
МПК: G01K 17/08
Мітки: акустооптичного, твердого, лазерного, випромінювання, галію-індію, застосування, матеріалу, напівпровідникового, селеніду, розчину, ga0,4in0,6)2se3, монокристала, модулятора
Формула / Реферат:
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання
Номер патенту: 77305
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович
Мітки: галію-індію, випромінювання, матеріалу, застосування, селеніду, напівпровідникового, твердого, модулятора, монокристала, ga0.3in0.7)2se3, лазерного, розчину, акустооптичного
Формула / Реферат:
Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.