G01L 9/02 — шляхом вимірювання змін омічного опору, наприклад за допомогою потенціометрів
Перетворювач неелектричної величини в електричний сигнал
Номер патенту: 27429
Опубліковано: 15.09.2000
Автори: Кучугура Володимир Миколайович, Посошко Віктор Миколайович, Почтарьов Євген Васильович, Михайлов Ігор Володимирович
МПК: G01L 9/02, H03K 5/00, G06F 7/00 ...
Мітки: величини, неелектрично, перетворювач, сигнал, електричний
Текст:
...источника питания и источник опорных напряжений, а также связи между ними [1] Недостатком этого устройства является то, чга по точности измерения и способу построения схемы на сумматорах оно не решает задачу точного измерения выходных параметров тензомоста при разнесенных конструктивно блага* тензомоста и измерительных схем в связи с тем, что в нем тензомост использовался для корректировки погрешности схемы по температуре и для этого он...
Датчик тиску
Номер патенту: 14399
Опубліковано: 25.04.1997
Автори: Волошина Наталія Павлівна, Дручин Володимир Степанович, Вікулін Іван Михайлович, Ранченко Генадій Степанович, Прохоров Валерій Анатолійович
МПК: G01L 9/04, G01L 9/02, G01L 9/00 ...
Формула / Реферат:
Датчик давления, содержащий монокристаллическую кремниевую мембрану, на планарной поверхности которой выполнены тензорезисторы с фиксированной глубиной залегания р-n-перехода, при этом тензорезисторы соединены с контактными площадками, а планарная поверхность мембраны покрыта слоем двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения в условиях воздействия ионизирующего излучения, в нем поверхностный слой...
Датчик тиску
Номер патенту: 11226
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Варшава Славомир Степанович, Островська Анастасія Степанівна, Воронін Валерій Олександрович, Щербай Константин Степанович
МПК: G01L 9/02, G01L 11/00
Формула / Реферат:
(57) Датчик давления, содержащий диэлектрическую подложку, на которой размещен полупроводниковый чувствительный элемент на основе твердого раствора GaAs1-xPx (x -= 0,4) с электрическими контактами, отличающийся тем, что в нем чувствительный элемент выполнен в виде нитевидного кристалла, при этом твердый раствор GaAs1-xPx легирован медью сконцентрацией носителей 2*1013-8*1013 см3.