Островська Анастасія Степанівна

Номер патенту: 20677

Опубліковано: 02.09.1997

Автори: Байцар Роман Іванович, Новаковська Зоя Володимирівна, Островський Ігор Петрович, Островська Анастасія Степанівна

МПК: G01R 19/08

Мітки: робочого, струму, визначення, тензорезистора, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого струму тензорезисторів, на основі ниткоподібних кристалів кремнію, який полягає в тому, що визначають ге­ометричні параметри кристалів чутливого елемен­ту тензорезистора та подають на нього постійну напругу, який відрізняється тим, що на тензоре-зистор з кристалами чутливого елементу діамет­ром 20-56 мкм подають напругу до 5 В, визначають напруженість електричного поля та розраховують густину робочого струму по...

Номер патенту: 15098

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Островська Анастасія Степанівна, Пелех Любов Миколаївна, Нечипорук Ірина Євгенівна, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович

МПК: H01L 31/02

Мітки: перетворювач, фотоелектричний

Формула / Реферат:

Фотоелектричний перетворювач, що містить чутливий елемент з напівпровідникового монокристала з електричними контактами, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлений з твердого розчину  складу   з питомим опором  з величиною конусності  один з електричних контактів приєднаний безпосередньо до торця чутливого елемента, а другий - зміщений відносно протилежного кінця чутливого елемента на  де  - довжина кристала.

Номер патенту: 11226

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островська Анастасія Степанівна, Воронін Валерій Олександрович, Щербай Константин Степанович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01L 11/00, G01L 9/02

Мітки: датчик, тиску

Формула / Реферат:

(57) Датчик давления, содержащий диэлектрическую подложку, на которой размещен полупроводниковый чувствительный элемент на основе твердого раствора GaAs1-xPx (x -= 0,4) с электрическими контактами, отличающийся тем, что в нем чувствительный элемент выполнен в виде нитевидного кристалла, при этом твердый раствор GaAs1-xPx легирован медью сконцентрацией носителей 2*1013-8*1013 см3.

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островський Петро Іванович, Байцар Роман Іванович, Красножонов Євген Павлович, Островська Анастасія Степанівна

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06

Мітки: резонаторів, струнних, ниткоподібних, спосіб, напівпровідникових, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...