Датчик тиску

Изобретение может быть использовано для измерения давления жидких и газообразных сред в условиях воздействия ионизирующего излучения,При одновременном воздействии механичес Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидких и г ізообразньїх сред в условиях действия ионизирующих излучений. Целью изобретения является повышение точности измерения в условиях воздействия ионизирующего излучения. На чертеже показан датчик давления. Датчик давления содержит подложку 1, выполненную из кремния, в которой методом химического травления выполнена мембрана, а планарная сторона подложки защищена слоем 2 двуокиси кремния. В подложке сформированы методом ионного легирования тензорезисторы 3 с алюминиевыми контактами 4, на поверхности тензорезисторов сформирован облучением инертным газом слой 5 аморфного кремния.Толщина слоя аморфного кремния состав20-89 1 Я кого напряжения и ионизирующего излучения в объеме тензорезистора 3 помимо основных носителей, концентрация которых определяет величину сопротивления, возникают неосновные носители, которые, рекомбинируя с основными, изменяют величину сопротивления тензорезисторов, увеличивая погрешность. Наличие аморфного слоя 5 изменяет поведение носителей. Неосновные носители нз области тензорезисторов 3 устремляются в аморфный слой 5, где, рекомбинііруя на дефектах, компенсируют изменение сопротивления при ионизирующем излучении. 1 ил. ляет 0,2-0,3 глубины залегания р-пперехода. Работа датчика происходит следующим образоы. При воздействии на мембрану давления в мембране возникают механические напряжения, которые определяют изменение сопротивления тензорезис торов. Напряжение, снимаемое с измерительной диагонали моста, сформированного из четырех тензорезисторов 3, является информативным сигналом. При одновременном воздействии механического напряжения и ионизирующего излучения в объеме гензорезистора помимо основных носителей, ^концентрация которых определяет величину сопротивления, возникают неосновные носители, которые, рекомбинируя с основными носителями изменяют величину сопротивления тензореэисто 00 о О) 1484067 ров, увеличивая при этом величину погрешности измерения. возникающую в условиях ионизирующего излучения. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Наличие аморфного слоя 5, насыщенДатчик давления, содержащий мононого сложными дефектами, изменяет кристаллическую кремниевую мембрану, поведение генерированных носителей. на планарной поверхности которой выСложные дефекты являются стоками для полнены тензорезисторы с фиксированнеосновных носителей и точечных раной глубиной залегания р-п-перехода, диационных дефектов, поэтому неоспри этом тензорезисторы соединены с новные носители из области тензореконтактными площадками, а планарная зисторов 3 устремляются в аморфный поверхность мембраны покрыта слоем слой 5, где рекомбинируют на дефекдвуокиси кремния, о т л и ч а ю тах, при этом изменение сопротивлещ и й с я тем, ч т о , с целью повы- ; ния под действием ионизирующего и з шения точности измерения в условиях лучения "становится менее ощутимым. воздействия ионизирующего излучения, Аналогичная картина наблюдается и в нем поверхностный слой тензорезиспри других воздействиях, стимулируюторов выполнен аморфным, причем глущих генерацию неосновных носителей. бина аморфного слоя составляет 0 , 2 Датчик давления позволяет свести к 0,3 h , где h - глубина залегания .; • 20 минимуму дополнительную погрешность,; р-п-перехода. . . Редактор Т. Лошкарева Составитель О. Полев Техред М.Дидык . Корректор М. Пожо Заказ 910/ДСП Тираж 466 Подписное ' • БНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская к а б . , д . 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101