G01R 31/265 — безконтактні випробування
Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал-діелектрик-напівпровідник
Номер патенту: 94947
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Шустов Юрій Михайлович, Попов Володимир Михайлович, Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович
МПК: G01N 13/00, G01R 31/305, G01N 27/00, G01R 31/265 ...
Мітки: виявлення, локальних, дефектів, структурах, активних, спосіб, напівпровідника, метал-діелектрик-напівпровідник, електричної, поверхні
Формула / Реферат:
Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...