Патенти з міткою «метал-діелектрик-напівпровідник»
Спосіб визначення постійної часу зберігання заряду діелектриком у комірках нанокристалічної енергонезалежної пам’яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник
Номер патенту: 108830
Опубліковано: 10.06.2015
Автори: Назаров Олексій Миколайович, Лисенко Володимир Сергійович, Локшин Михайло Маркович, Євтух Валерій Анатолійович, Турчаніков Віктор Іванович
МПК: G11C 29/00
Мітки: метал-діелектрик-напівпровідник, часу, комірках, спосіб, визначення, енергонезалежної, нанокристалічної, зберігання, постійної, заряду, структурою, діелектриком, пам'яті
Формула / Реферат:
Спосіб визначення постійної часу зберігання заряду діелектриком комірок нанокристалічної енергонезалежної пам'яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник шляхом спостереження за динамікою стікання накопиченого в діелектрику заряду, який відрізняється тим, що, виконують вимірювання вольт-фарадної характеристики (ВФХ) комірки пам′яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник з максимальною амплітудою напруги розгортки сигналу...
Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал-діелектрик-напівпровідник
Номер патенту: 94947
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Клименко Анатолій Семенович, Шустов Юрій Михайлович, Попов Володимир Михайлович, Поканевич Олексій Платонович
МПК: G01N 13/00, G01N 27/00, G01R 31/265 ...
Мітки: виявлення, активних, електричної, структурах, спосіб, дефектів, поверхні, метал-діелектрик-напівпровідник, локальних, напівпровідника
Формула / Реферат:
Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...