Патенти з міткою «напівпровідника»

Номер патенту: 119251

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Леонардо Ораці, Бородінова Тетяна Іванівна, Гніліцький Ярослав Миколайович, Мамикін Сергій Васильович, Максимчук Наталія Володимирівна, Душейко Михайло Григорович

МПК: C21D 1/09, B23K 26/00

Мітки: структур, платформа, дифракційної, високорегулярних, лазерно-індукованих, резонансна, напівпровідника, періодичних, ґратки, плазмон-поляритонна, вигляді, поверхневих, основі, поверхні

Формула / Реферат:

Плазмон-поляритонна резонансна платформа для сенсорів/біосенсорів на основі високорегулярних періодичних структур у вигляді дифракційної ґратки на поверхні напівпровідника, яка відрізняється тим, що на поверхні напівпровідника з потенційним бар'єром (гетероперехід, р-n/n-р перехід, бар'єр Шотткі, МДН (метал-діелектрик-напівпровідник) променем лазера з надшвидким скануванням сформовано високорегулярні лазерно-індуковані поверхневі періодичні...

Номер патенту: 105200

Опубліковано: 10.03.2016

Автор: Слободян Іван Володимирович

МПК: H03K 19/08

Мітки: комірки, напівпровідника, інформації, базі, пристрій, склоподібного, пам'яті, халькогенідного, енергонезалежної

Формула / Реферат:

Пристрій для читання/запису інформації енергонезалежної комірки пам'яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника, який містить халькогенідний елемент зберігання, вихід якого з'єднаний із входом обмежувача напруги, вихід якого з'єднаний із входом перетворювача струм-напруга, вихід якого з'єднаний із входом буфера, який відрізняється тим, що введено вхід дозволу запису, вхід стовпця адрес запису, вхід введення інформації, блок...

Номер патенту: 94947

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Шустов Юрій Михайлович, Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01N 13/00, G01N 27/00, G01R 31/265 ...

Мітки: локальних, електричної, метал-діелектрик-напівпровідник, поверхні, структурах, спосіб, дефектів, виявлення, напівпровідника, активних

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...

Номер патенту: 55762

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Шинкаренко Володимир Вікторович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна

МПК: G01R 27/08

Мітки: напівпровідника, вимірювання, контакту, пристрій, параметрів, омічного

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника, який містить вимірювальний блок, що складається з генератора постійного струму і не менше ніж чотирьох зондів, два з яких під'єднано до генератора, а решта - до вимірювача напруги, і предметний столик для досліджуваних зразків, який відрізняється тим, що пристрій додатково має термостат з керованою температурою, в якому розміщені предметний столик разом з зондами.

Номер патенту: 45028

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Савчук Андрій Йосипович, Федів Володимир Іванович, Савчук Тетяна Андріївна, Давиденко Ігор Святославович

МПК: G01N 33/483, A61B 5/04

Мітки: купфера, напівмагнітного, наночастинок, методом, використанням, ідентифікації, спосіб, напівпровідника, клітин, люмінесцентним

Формула / Реферат:

Спосіб ідентифікації клітин Купфера люмінесцентним методом шляхом реєстрації люмінесцентного сигналу біосенсорів у тканині, який відрізняється тим, що як біосенсор використовують синтезовані біосенсорні системи - наночастинка напівмагнітного напівпровідника Cd1-xMnxS - цетилтриметиламоній бромід, які наносять на досліджувані зрізи тканини, після чого реєструють люмінесцентний сигнал адсорбованого біосенсора при опроміненні в діапазоні 400-440...

Номер патенту: 37790

Опубліковано: 10.12.2008

Автори: Федів Володимир Іванович, Савчук Тетяна Андріївна, Давиденко Ігор Святославович, Савчук Андрій Йосипович, Федів Олександр Іванович

МПК: G01N 21/76, G01N 29/06, A61B 5/04 ...

Мітки: дерева, хоріального, наночастинок, плаценти, візуалізації, спосіб, люмінесцентним, напівпровідника, структур, використанням, напівмагнітного, методом

Формула / Реферат:

Спосіб візуалізації структур хоріального дерева плаценти люмінесцентним методом шляхом реєстрації люмінесцентного сигналу біосенсорів у тканині, який відрізняється тим, що як біосенсор використовують синтезовані біосенсорні системи - наночастинки напівмагнітного напівпровідника Cd1-xMrixS - меркаптоетанол, які наносять на досліджувані зрізи тканини, після чого реєструють люмінесцентний сигнал адсорбованого біосенсора при опроміненні в...

Номер патенту: 20443

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Беца Володимир Васильович, Попик Юрій Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: параметрами, термоелектричними, напівпровідника, спосіб, керування

Формула / Реферат:

Спосіб керування термоелектричними пара­метрами напівпровідника, що включає його нагрівання та охолодження, який відрізняється тим, що напівпровідник р-типу нагрівають вище температури, при якій змінюється знак термоЕРС із додатнього на від'ємний, далі проводять охоло­дження в область температур, при яких термоЕРС знову стає додатньою, при цьому додаткове збільшення термоЕРС здійснюється повторним нагрівом, задовільняючи...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Бобицький Ярослав Васильович, Вознюк Євгеній Федорович, Демчина Любомир Андрійович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04

Мітки: гетеропереходу, напівпровідника, шаруватого, спосіб, основі, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...