Попов Володимир Михайлович

Номер патенту: 103943

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01K 11/00, H01L 21/66, G02F 1/13 ...

Мітки: виявлення, спосіб, гарячих, світлодіода, областей, випромінюючої, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення гарячих областей випромінюючої поверхні світлодіода (СД), який включає нанесення на поверхню плівки рідкого кристала, спостереження поверхні в поляризаційному мікроскопі і фіксацію візуального відображення температури поверхні в плівці рідкого кристала під час дії джерела нагрівання поверхні, який відрізняється тим, що на випромінюючу поверхню СД до випромінювання осаджують із розчину плівку термоіндикатора гістерезисного,...

Номер патенту: 100604

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01K 11/16

Мітки: світлодіода, поверхні, температури, спосіб, випромінюючої, визначення, опору, кристала, теплового

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури і теплового опору випромінюючої поверхні кристала світлодіода, який включає в себе нанесення на поверхню кристала плівки холестеричного рідкого кристала (ХРК), який має температурні діапазони існування в холестеричному і смектичному станах, використання джерела електричного живлення, вимірювальних приладів та поляризаційного мікроскопа для спостереження в процесі споживання потужності візуального відображення в...

Номер патенту: 76273

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 33/00

Мітки: пластин, виявлення, переходах, пристрій, дефектних, батарей, областей, локальних, сонячних

Формула / Реферат:

Пристрій для виявлення локальних дефектних областей в p-n переходах пластин сонячних батарей, який містить нагрівний стіл, пластину сонячної батареї на нагрівному столі, полімерну плівку з диспергованим в ній холестеричним рідким кристалом на поверхні пластини сонячної батареї, контактний пристрій для подачі напруги до p-n переходу, джерело напруги, вимірювальні прилади, який відрізняється тим, що містить металеву платформу, контактний...

Номер патенту: 65744

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович

МПК: G01K 7/06

Мітки: локальній, поверхні, температури, визначення, пристрій, області

Формула / Реферат:

1. Пристрій для визначення температури в локальній області поверхні, який містить термочутливу полімерну плівку з диспергованим в ній холестеричним рідким кристалом, яка покриває досліджувану поверхню виробу і притискується до неї вакуумним присисанням, мікроскоп з боковим підсвіченням для спостереження плівки і визначення температури поверхні по її візуальному відображенню в плівці, який відрізняється тим, що містить смугу полімерної плівки...

Номер патенту: 96545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Панін Анатолій Іванович, Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01N 27/61, H01L 29/34, G01N 21/88 ...

Мітки: локальних, пластинах, сонячних, дефектів, батарей, спосіб, виявлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних дефектів в напівпровідникових пластинах сонячних батарей, що включає формування середовища у вигляді тонкого прозорого шару між прозорою скляною пластиною і поверхнею напівпровідникової пластини, підключення напівпровідникової пластини до джерела електричного живлення, при цьому електричні потенціали на поверхні напівпровідникової пластини виявляють по візуальному відображенню областей дефектів, який...

Номер патенту: 94947

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович, Поканевич Олексій Платонович, Шустов Юрій Михайлович

МПК: G01N 13/00, G01N 27/00, G01R 31/265 ...

Мітки: електричної, активних, поверхні, локальних, структурах, виявлення, напівпровідника, метал-діелектрик-напівпровідник, дефектів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...

Номер патенту: 88851

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/70, G02F 1/13, G03B 7/00 ...

Мітки: пристрій, потенціалів, температури, відображення, поверхні, інтегральної, кристала, візуального, мікросхеми, електричних

Формула / Реферат:

1. Пристрій для візуального відображення електричних потенціалів і температури на поверхні кристала інтегральної мікросхеми, який містить поляризаційний мікроскоп, мікросхему з відкритою поверхнею кристала, прозорий електрод, шар нематичного рідкого кристала між прозорим електродом і поверхнею кристала мікросхеми з однорідно зорієнтованими молекулами в шарі, контактний пристрій, прилади для живлення і формування електричних режимів роботи...

Номер патенту: 84808

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Мошель Микола Васильович, Попов Володимир Михайлович

МПК: G01N 13/00, G01N 21/66, G01N 21/00 ...

Мітки: виявлення, локальних, дефектів, пластинах, сонячних, спосіб, батарей, тепловиділяючих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних тепловиділяючих дефектів в пластинах сонячних батарей, що включає накривання поверхні пластини діелектричною термочутливою плівкою, прикладення зворотної електричної напруги до пластини та виявлення візуально відображених локально нагрітих тепловиділяючими дефектами областей поверхні пластини, який відрізняється тим, що поверхню пластини сонячної батареї накривають діелектричною прозорою тришаровою пластиною,...

Номер патенту: 77499

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Попов Володимир Михайлович, Мошель Микола Васильович, Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01N 13/00, H01L 21/66, G01R 3/00 ...

Мітки: кристалів, джерел, локальних, схем, зразках, виявленя, спосіб, приладів, напівпровідникових, інтегральних, тепловиділення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів  інтегральних схем та напівпровідникових приладів, за яким на контрольовану поверхню зразка кристала наносять тонку плівку холестеричного рідкого кристала, зразок закріплюється на нагріваному тримачі з терморегулятором і підключається до джерела електричного живлення, а локальні джерела тепловиділення виявляють за оптичними зображеннями в поляризаційному мікроскопі...