Клименко Анатолій Семенович

Номер патенту: 103943

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Попов Володимир Михайлович, Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G02F 1/13, H01L 21/66, G01K 11/00 ...

Мітки: областей, світлодіода, гарячих, виявлення, випромінюючої, поверхні, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення гарячих областей випромінюючої поверхні світлодіода (СД), який включає нанесення на поверхню плівки рідкого кристала, спостереження поверхні в поляризаційному мікроскопі і фіксацію візуального відображення температури поверхні в плівці рідкого кристала під час дії джерела нагрівання поверхні, який відрізняється тим, що на випромінюючу поверхню СД до випромінювання осаджують із розчину плівку термоіндикатора гістерезисного,...

Номер патенту: 100604

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: G01K 11/16, H01L 21/66

Мітки: визначення, опору, кристала, поверхні, спосіб, випромінюючої, теплового, температури, світлодіода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури і теплового опору випромінюючої поверхні кристала світлодіода, який включає в себе нанесення на поверхню кристала плівки холестеричного рідкого кристала (ХРК), який має температурні діапазони існування в холестеричному і смектичному станах, використання джерела електричного живлення, вимірювальних приладів та поляризаційного мікроскопа для спостереження в процесі споживання потужності візуального відображення в...

Номер патенту: 76273

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: H01L 33/00

Мітки: областей, переходах, пластин, сонячних, батарей, локальних, дефектних, виявлення, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для виявлення локальних дефектних областей в p-n переходах пластин сонячних батарей, який містить нагрівний стіл, пластину сонячної батареї на нагрівному столі, полімерну плівку з диспергованим в ній холестеричним рідким кристалом на поверхні пластини сонячної батареї, контактний пристрій для подачі напруги до p-n переходу, джерело напруги, вимірювальні прилади, який відрізняється тим, що містить металеву платформу, контактний...

Номер патенту: 65744

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01K 7/06

Мітки: поверхні, температури, області, локальній, пристрій, визначення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для визначення температури в локальній області поверхні, який містить термочутливу полімерну плівку з диспергованим в ній холестеричним рідким кристалом, яка покриває досліджувану поверхню виробу і притискується до неї вакуумним присисанням, мікроскоп з боковим підсвіченням для спостереження плівки і визначення температури поверхні по її візуальному відображенню в плівці, який відрізняється тим, що містить смугу полімерної плівки...

Номер патенту: 96545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Попов Володимир Михайлович, Панін Анатолій Іванович, Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: G01N 27/61, G01N 21/88, H01L 29/34 ...

Мітки: спосіб, батарей, дефектів, пластинах, локальних, виявлення, сонячних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних дефектів в напівпровідникових пластинах сонячних батарей, що включає формування середовища у вигляді тонкого прозорого шару між прозорою скляною пластиною і поверхнею напівпровідникової пластини, підключення напівпровідникової пластини до джерела електричного живлення, при цьому електричні потенціали на поверхні напівпровідникової пластини виявляють по візуальному відображенню областей дефектів, який...

Номер патенту: 94947

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович, Шустов Юрій Михайлович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01N 13/00, G01R 31/265, G01N 27/00 ...

Мітки: напівпровідника, локальних, метал-діелектрик-напівпровідник, спосіб, дефектів, активних, поверхні, виявлення, електричної, структурах

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...

Номер патенту: 88851

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/70, G02F 1/13, G03B 7/00 ...

Мітки: температури, візуального, відображення, поверхні, електричних, мікросхеми, кристала, пристрій, потенціалів, інтегральної

Формула / Реферат:

1. Пристрій для візуального відображення електричних потенціалів і температури на поверхні кристала інтегральної мікросхеми, який містить поляризаційний мікроскоп, мікросхему з відкритою поверхнею кристала, прозорий електрод, шар нематичного рідкого кристала між прозорим електродом і поверхнею кристала мікросхеми з однорідно зорієнтованими молекулами в шарі, контактний пристрій, прилади для живлення і формування електричних режимів роботи...

Номер патенту: 84808

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Попов Володимир Михайлович, Поканевич Олексій Платонович, Мошель Микола Васильович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01N 21/00, G01N 21/66, G01N 13/00 ...

Мітки: спосіб, сонячних, дефектів, виявлення, пластинах, тепловиділяючих, локальних, батарей

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних тепловиділяючих дефектів в пластинах сонячних батарей, що включає накривання поверхні пластини діелектричною термочутливою плівкою, прикладення зворотної електричної напруги до пластини та виявлення візуально відображених локально нагрітих тепловиділяючими дефектами областей поверхні пластини, який відрізняється тим, що поверхню пластини сонячної батареї накривають діелектричною прозорою тришаровою пластиною,...

Номер патенту: 77499

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Мошель Микола Васильович, Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович

МПК: G01R 3/00, G01N 13/00, H01L 21/66 ...

Мітки: кристалів, виявленя, локальних, приладів, тепловиділення, схем, джерел, зразках, спосіб, напівпровідникових, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів  інтегральних схем та напівпровідникових приладів, за яким на контрольовану поверхню зразка кристала наносять тонку плівку холестеричного рідкого кристала, зразок закріплюється на нагріваному тримачі з терморегулятором і підключається до джерела електричного живлення, а локальні джерела тепловиділення виявляють за оптичними зображеннями в поляризаційному мікроскопі...

Номер патенту: 18962

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Мошель Микола Васильович, Гриценко Микола Іванович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Мітки: плівки, спосіб, атестації, діелектричної

Формула / Реферат:

1. Спосіб атестації діелектричної плівки, що полягає в розміщенні плівки на провідній підкладці, нанесенні на поверхню цієї плівки металевих електродів, формуванні на електродах шару нематичного рідкого кристалу (НРК), обмеженого зверху скляною пластиною з прозорим електропровідним шаром, подачі на провідну підкладку І прозорий електропровідний шар електричної напруги, який відрізняється тим, що електроди на діелектричну плівку наносять...

Номер патенту: 18961

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Мошель Микола Васильович, Клименко Анатолій Семенович, Гриценко Микола Іванович

МПК: H01L 21/66

Мітки: товщини, спосіб, плівок, контролю, діелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб контролю товщини діелектричних плівок, згідно якого на контрольованій плівці послідовно розміщують шар нематичного рідкого кристалу (НРК) І покривне скло з оптично прозорою електропровідною плівкою, на електропровідну плівку подають електричну напругу, фіксують момент переорієнтації НРК і визначають товщину діелектричної плівки, який відрізняється тим, що момент переорієнтації НРК визначають, змінюючи частоту напруги при фіксованій...

Номер патенту: 18960

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Гриценко Микола Іванович, Мошель Микола Васильович

МПК: G01R 31/28

Мітки: схем, визначення, електричних, інтегральних, потенціалів, спосіб, елементів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення електричних потенціалів елементів інтегральних схем (IС), що включає формування поверхні кристалу 1С орієнтованого шару нематичного рідкого кристалу (НРК), розміщення на шарі НРК прозорої пластини з прозорим електропровідним шаром, подачу на прозорий електропровідний шар змінного потенціалу, який відрізняється тим, що фіксують момент переорієнтації НРК над елементом при різних значеннях потенціалів прозорого...