G01R 31/27 — приладів без їх видалення з схеми, частиною якої вони є, наприклад компенсація впливу навколишніх елементів
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі gаas та inp
Номер патенту: 65586
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Редько Роман Анатолійович, Мілєнін Віктор Володимирович, Заяць Микола Сергійович, Конакова Раїса Василівна
МПК: G01N 23/20, G01R 31/27
Мітки: структур, відбраковування, потенційно, гомоепітаксійних, gаas, спосіб, основі, ненадійних
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі GaAs та ІnР, що базується на вимірюванні спектрів оптичного відбиття в інтервалі довжин хвиль 900-1200 нм, який відрізняється тим, що контрольовані структури після вимірювання спектра оптичного відбиття додатково піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 50-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 10-20 Гц і тривалістю...