Конакова Раїса Василівна

Номер патенту: 108190

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Сафрюк Надія Володимирівна, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Сай Павло Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Кладько Василь Петрович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/45, H01L 21/268

Мітки: створення, омічного, спосіб, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...

Номер патенту: 106825

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/268

Мітки: систем, спосіб, термостійких, метал-si, виготовлення, контактних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...

Номер патенту: 105848

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Матвєєва Людмила Олександрівна, Нелюба Павло Леонідович, Виноградов Анатолій Олегович, Венгер Євген Федорович, Колядіна Олена Юріївна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: виготовлення, фотоперетворюючим, фулеренвмісним, конверторів, спосіб, фотоелектричних, шаром

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром, який включає в себе створення нижнього контактоутворюючого шару, фулеренвмісного фотоперетворюючого шару з наступним нанесенням верхнього контактоутворюючого шару, який відрізняється тим, що після нанесення верхнього контактоутворюючого шару додатково проводять мікрохвильовий відпал тривалістю від 0,1 с до 10 годин, емітансом 10-2¸104 Вт/см2 та...

Номер патенту: 103985

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Швалагін Віталій Васильович, Редько Роман Анатолійович, Мілєнін Григорій Володимирович, Редько Світлана Миколаївна

МПК: H01L 21/00, G01R 13/00

Мітки: епітаксійній, напружень, структури, механічних, спосіб, зниження, внутрішніх

Формула / Реферат:

Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі GaN/Аl2О3, що здійснюють зовнішньою обробкою, який відрізняється тим, що контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 60-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 5-15 Гц і тривалістю дії на структури 7-9 хв.

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Насиров Махсуд Уалієвич, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/47

Мітки: бар'єрних, виготовлення, спосіб, напівпровідникових, з'єднань, а3в5, типу, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Слєпова Олександра Станіславівна, Болтовець Микола Силович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Зайцев Борис Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Семенов Олександр Володимирович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Веремійченко Георгій Микитович, Новицький Сергій Вадимович, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 29/861, H01L 47/00

Мітки: ганна, фосфід-індієвий, діод

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 101023

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/314

Мітки: спосіб, ненагрівний, виготовлення, n+-кремнію, омічного, контакту

Формула / Реферат:

Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...

Номер патенту: 101022

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Басанець Володимир Васильович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович

МПК: G01R 19/28, G01R 27/04, G01R 31/26 ...

Мітки: спосіб, потенційно, лавинно-пролітних, діодів, імпульсних, ненадійних, відбраковування

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...

Номер патенту: 99230

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Редько Світлана Миколаївна, Швалагін Віталій Васильович, Мілєнін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Василівна, Редько Роман Анатолійович

МПК: G01R 13/00

Мітки: метастабільних, спосіб, коефіцієнтів, дифузії, оптичний, основі, точкових, епітаксійних, оцінки, структурах, дефектів

Формула / Реферат:

Оптичний спосіб оцінки коефіцієнтів дифузії метастабільних точкових дефектів в епітаксійних структурах на основі GaN, що базується на вимірюванні оптичних спектрів, який відрізняється тим, що вимірюють спектри оптичного пропускання в інтервалі довжин хвиль 330-1100 нм і додатково вимірюють спектри фотолюмінесценції в інтервалі 350-600 нм, після чого контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 40-80 мТл,...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Шеремет Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Ткаченко Олександр Кирилович, Саченко Анатолій Васильович, Іванов Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Пилипчук Олександр Сергійович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 21/268

Мітки: типу, а3в5, низькотемпературного, омічного, спосіб, створення, напівпровідників, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Дуб Максим Миколайович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 23/52, H01L 23/48, H01L 29/40 ...

Мітки: контактна, приладу, напівпровідникового, термостійка, система, алмазу, омічна

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Сай Павло Олегович, Капітанчук Леонід Мусійович, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: контактів, омічних, створення, n-ain, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Семенов Олександр Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Слєпова Олександра Станіславівна, Голинна Тетяна Іванівна, Веремійченко Георгій Микитович, Сай Павло Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, діод, основі

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 93207

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Мітін Вадим Федорович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Кривуца Валентин Антонович, Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Холевчук Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович

МПК: G01K 1/00

Мітки: датчик, температури

Формула / Реферат:

1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...

Номер патенту: 91936

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Шеремет Володимир Миколайович, Виноградов Анатолій Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч

МПК: H01L 21/268, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, омічного, контакту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...

Номер патенту: 88970

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Сорокін Віктор Михайлович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: G01N 25/00, G01N 27/00, G01N 21/00 ...

Мітки: деградації, модулів, спосіб, світлодіодів, світлодіодних, прогнозування

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування деградації світлодіодів та світлодіодних модулів, що полягає в навантаженні сталим струмом світлодіодних модулів чи світлодіодів, реєстрації інтенсивності свічення L світлодіода чи елементів світлодіодного модуля протягом часу t при різних стабілізованих температурах Тзовн, який відрізняється тим, що додатково вимірюють температуру р-n переходу Твнутр окремого світлодіода чи кожного елемента світлодіодного модуля, яку...

Номер патенту: 87875

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Веремійченко Георгій Микитович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 21/66

Мітки: нвч, дискретний, пристрій, активний

Формула / Реферат:

1. Активний дискретний НВЧ-пристрій з двома каскадами радіальної лінії передачі, який містить в собі розташовані вісесиметрично напівпровідникову активну структуру дискової форми, до плоских сторін якої створені низькоомні катодний та анодний контакти, яка представляє собою діод, циліндричний тримач, на торцевій площині циліндричного виступу якого закріплена катодною стороною напівпровідникова структура, кільцевий ізолятор з кришкою, плоскі...

Номер патенту: 87820

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинська Тетяна Василівна, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Аніщик Віктар Міхайлавіч

МПК: H01L 21/268

Мітки: контакту, формування, омічного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...

Номер патенту: 83664

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Бобиль Олександр Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, контакту, створення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...

Номер патенту: 78936

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, кремнію, контакту, формування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...

Номер патенту: 76966

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Сорокін Віктор Михайлович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Шинкаренко Володимир Вікторович

МПК: G01N 25/00

Мітки: теплового, структури, спосіб, світлодіодної, опору, вимірювання, ланок

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплових параметрів ланок світлодіодної структури, який полягає в вимірюванні залежності температури p-n переходу світлодіода Τ від часу t після включення світлодіодної структури, вимірюванні потужності, що споживає світлодіодна структура Ρ1 і визначенні експериментальних значень Ri теплового опору і часових констант τi кожної з ланок структури, де і - номер ланки, який відрізняється тим, що додатково...

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: лавинно-пролітний, основі, металів, платинової, системою, діод, групи, контактною

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Новицький Сергій Вадимович, Іванов Володимир Миколайович, Тарасов Ілля Сергійович, Шеремет Володимир Миколайович, Бобиль Олександр Васильович, Арсентьєв Іван Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/66

Мітки: контролю, катодного, контакту, ганна, спосіб, якості, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Номер патенту: 65586

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович, Конакова Раїса Василівна, Заяць Микола Сергійович

МПК: G01R 31/27, G01N 23/20

Мітки: ненадійних, структур, основі, gаas, спосіб, потенційно, відбраковування, гомоепітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі GaAs та ІnР, що базується на вимірюванні спектрів оптичного відбиття в інтервалі довжин хвиль 900-1200 нм, який відрізняється тим, що контрольовані структури після вимірювання спектра оптичного відбиття додатково піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 50-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 10-20 Гц і тривалістю...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: G01N 25/00

Мітки: вимірювання, діодів, напівпровідникових, теплового, опору, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Мілєнін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, спосіб, напівпровідників, широкозонних, контактів, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...

Номер патенту: 55762

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович

МПК: G01R 27/08

Мітки: напівпровідника, омічного, контакту, параметрів, пристрій, вимірювання

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника, який містить вимірювальний блок, що складається з генератора постійного струму і не менше ніж чотирьох зондів, два з яких під'єднано до генератора, а решта - до вимірювача напруги, і предметний столик для досліджуваних зразків, який відрізняється тим, що пристрій додатково має термостат з керованою температурою, в якому розміщені предметний столик разом з зондами.

Номер патенту: 47578

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Мілєнін Віктор Володимирович, Лоцько Олександр Павлович, Конакова Раїса Василівна, Редько Роман Анатолійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: виготовлення, телурид-кадмієвого, детектора, х-випромінювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01R 31/26, G01R 27/04, G01R 19/28 ...

Мітки: апаратура, імпульсних, надійності, діагностики, напівпровідникових, лавинопрольотних, лпд, надпотужних, діодів

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...