Редько Роман Анатолійович
Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі gan/al2o3
Номер патенту: 103985
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Швалагін Віталій Васильович, Редько Світлана Миколаївна, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович, Мілєнін Григорій Володимирович
МПК: G01R 13/00, H01L 21/00
Мітки: епітаксійній, напружень, механічних, спосіб, внутрішніх, структури, зниження
Формула / Реферат:
Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі GaN/Аl2О3, що здійснюють зовнішньою обробкою, який відрізняється тим, що контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 60-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 5-15 Гц і тривалістю дії на структури 7-9 хв.
Оптичний спосіб оцінки коефіцієнтів дифузії метастабільних точкових дефектів в епітаксійних структурах на основі gan
Номер патенту: 99230
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Швалагін Віталій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Редько Роман Анатолійович, Редько Світлана Миколаївна
МПК: G01R 13/00
Мітки: структурах, метастабільних, епітаксійних, спосіб, дифузії, точкових, оптичний, дефектів, основі, коефіцієнтів, оцінки
Формула / Реферат:
Оптичний спосіб оцінки коефіцієнтів дифузії метастабільних точкових дефектів в епітаксійних структурах на основі GaN, що базується на вимірюванні оптичних спектрів, який відрізняється тим, що вимірюють спектри оптичного пропускання в інтервалі довжин хвиль 330-1100 нм і додатково вимірюють спектри фотолюмінесценції в інтервалі 350-600 нм, після чого контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 40-80 мТл,...
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі gаas та inp
Номер патенту: 65586
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Редько Роман Анатолійович, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Заяць Микола Сергійович
МПК: G01R 31/27, G01N 23/20
Мітки: gаas, спосіб, гомоепітаксійних, структур, основі, ненадійних, відбраковування, потенційно
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі GaAs та ІnР, що базується на вимірюванні спектрів оптичного відбиття в інтервалі довжин хвиль 900-1200 нм, який відрізняється тим, що контрольовані структури після вимірювання спектра оптичного відбиття додатково піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 50-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 10-20 Гц і тривалістю...
Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора g- та х-випромінювання
Номер патенту: 47578
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович, Лоцько Олександр Павлович, Конакова Раїса Василівна, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович
МПК: H01L 21/04
Мітки: телурид-кадмієвого, детектора, виготовлення, х-випромінювання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...