Патенти з міткою «гомоепітаксійних»
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі gаas та inp
Номер патенту: 65586
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Редько Роман Анатолійович, Мілєнін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Василівна, Заяць Микола Сергійович
МПК: G01N 23/20, G01R 31/27
Мітки: основі, ненадійних, структур, спосіб, gаas, відбраковування, потенційно, гомоепітаксійних
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі GaAs та ІnР, що базується на вимірюванні спектрів оптичного відбиття в інтервалі довжин хвиль 900-1200 нм, який відрізняється тим, що контрольовані структури після вимірювання спектра оптичного відбиття додатково піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 50-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 10-20 Гц і тривалістю...
Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію
Номер патенту: 28402
Опубліковано: 10.12.2007
Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович
МПК: H01L 21/20
Мітки: спосіб, отримання, гомоепітаксійних, галію, шарів, арсеніду, товстих
Формула / Реферат:
Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...