Патенти з міткою «ненадійних»
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів
Номер патенту: 101022
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Шинкаренко Володимир Вікторович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Басанець Володимир Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна
МПК: G01R 31/26, G01R 27/04, G01R 19/28 ...
Мітки: відбраковування, діодів, ненадійних, лавинно-пролітних, потенційно, спосіб, імпульсних
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі gаas та inp
Номер патенту: 65586
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович, Конакова Раїса Василівна, Заяць Микола Сергійович
МПК: G01R 31/27, G01N 23/20
Мітки: спосіб, gаas, гомоепітаксійних, основі, відбраковування, ненадійних, потенційно, структур
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі GaAs та ІnР, що базується на вимірюванні спектрів оптичного відбиття в інтервалі довжин хвиль 900-1200 нм, який відрізняється тим, що контрольовані структури після вимірювання спектра оптичного відбиття додатково піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 50-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 10-20 Гц і тривалістю...
Спосіб відбраковки ненадійних кмон інтегральних схем
Номер патенту: 9783
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Пенцак Іван Борисович, Остапчук Анатолій Іванович, Чекмезов Олександр Миколайович, Ілюк Ігор Євгенович, Молчанов Костянтин Вікторович
МПК: G01R 31/26, G01R 31/01, G01R 31/28 ...
Мітки: схем, відбраковки, ненадійних, кмон, спосіб, інтегральних
Формула / Реферат:
(57) 1. Способ отбраковки ненадежных КМОП интегральных схем, включающий пропускание стабильного тока между одним из питающих выводов, объединенным с входными выводами интегральной схемы, и другим питающим выводом интегральной схемы, измерение напряжения между питающими выводами интегральной схемы, отбраковку интегральной схемы по результатам измерений, отличающийся тем, что измеряют напряжение между питающими выводами интегральной схемы при...
Спосіб відбраковки ненадійних кмон іс
Номер патенту: 7149
Опубліковано: 30.06.1995
Автори: Молчанов Костянтин Вікторович, Чекмезов Олександр Миколайович, Остапчук Анатолій Іванович, Воронцов Володимир Анатолійович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович
МПК: G01R 31/26
Мітки: ненадійних, спосіб, кмон, відбраковки
Текст:
...замер пробивного напряжения (фиг. 1, где для ИС N: 1, 2 и 3 на кривых ВАХ 1, 2, 3 соответствующими пробивными напряжениями являют- 45 ся Ui\ U2' и из'). Полученные результаты сравнивают с имеющимся (для каждого типа приборов) эталонным пробивным напряжением UN. ИС со значениями пробивного наполнения меньшим U N отбраковываются 50 (например, кривая 2 на фиг. 1, где U2' < UN). На втором этапе замеряют пробивные напряжения при...
Спосіб відбраковки потенційно ненадійних і нестабільних інтегральних мікросхем
Номер патенту: 1056
Опубліковано: 30.12.1993
Автори: Сердюк Гай Борисович, Усатенко Василь Григорович, Сазонов Сергій Миколайович
Мітки: мікросхем, відбраковки, нестабільних, потенційно, спосіб, інтегральних, ненадійних
Формула / Реферат:
1. Способ отбраковки потенциально ненадежных и нестабильных интегральных микросхем, заключающийся в том, что выбирают пары выводов контролируемых интегральных микросхем, между которыми содержатся р-n-переходы, подают на выбранные лары выводов линейно возрастающее ступенчатое напряжение и регистрируют на заданном участке вольт-амперной характеристики величину информативного параметра, по которому проводят отбраковку дефектных микросхем,...