Мілєнін Віктор Володимирович
Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі gan/al2o3
Номер патенту: 103985
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Конакова Раїса Василівна, Редько Світлана Миколаївна, Швалагін Віталій Васильович, Мілєнін Григорій Володимирович, Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович
МПК: G01R 13/00, H01L 21/00
Мітки: механічних, зниження, структури, напружень, епітаксійній, внутрішніх, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб зниження внутрішніх механічних напружень в епітаксійній структурі GaN/Аl2О3, що здійснюють зовнішньою обробкою, який відрізняється тим, що контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 60-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 5-15 Гц і тривалістю дії на структури 7-9 хв.
Оптичний спосіб оцінки коефіцієнтів дифузії метастабільних точкових дефектів в епітаксійних структурах на основі gan
Номер патенту: 99230
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Редько Роман Анатолійович, Конакова Раїса Василівна, Швалагін Віталій Васильович, Редько Світлана Миколаївна, Мілєнін Віктор Володимирович
МПК: G01R 13/00
Мітки: спосіб, оцінки, метастабільних, коефіцієнтів, оптичний, епітаксійних, точкових, дифузії, дефектів, структурах, основі
Формула / Реферат:
Оптичний спосіб оцінки коефіцієнтів дифузії метастабільних точкових дефектів в епітаксійних структурах на основі GaN, що базується на вимірюванні оптичних спектрів, який відрізняється тим, що вимірюють спектри оптичного пропускання в інтервалі довжин хвиль 330-1100 нм і додатково вимірюють спектри фотолюмінесценції в інтервалі 350-600 нм, після чого контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 40-80 мТл,...
Спосіб контролю якості катодного контакту діодів ганна
Номер патенту: 65725
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Тарасов Ілля Сергійович, Іванов Володимир Миколайович, Арсентьєв Іван Микитович, Бобиль Олександр Васильович, Конакова Раїса Василівна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Мілєнін Віктор Володимирович, Новицький Сергій Вадимович
МПК: H01L 21/66
Мітки: контролю, спосіб, якості, діодів, катодного, контакту, ганна
Формула / Реферат:
Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі gаas та inp
Номер патенту: 65586
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Редько Роман Анатолійович, Заяць Микола Сергійович, Мілєнін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Василівна
МПК: G01N 23/20, G01R 31/27
Мітки: відбраковування, основі, структур, ненадійних, спосіб, gаas, гомоепітаксійних, потенційно
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних гомоепітаксійних структур на основі GaAs та ІnР, що базується на вимірюванні спектрів оптичного відбиття в інтервалі довжин хвиль 900-1200 нм, який відрізняється тим, що контрольовані структури після вимірювання спектра оптичного відбиття додатково піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 50-70 мТл, тривалістю імпульсу 1,0-4,0 мс, частотою слідування імпульсів 10-20 Гц і тривалістю...
Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників
Номер патенту: 61621
Опубліковано: 25.07.2011
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Мілєнін Віктор Володимирович, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/268
Мітки: напівпровідників, омічних, спосіб, створення, широкозонних, контактів
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...
Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора g- та х-випромінювання
Номер патенту: 47578
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Редько Роман Анатолійович, Лоцько Олександр Павлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович
МПК: H01L 21/04
Мітки: телурид-кадмієвого, спосіб, детектора, х-випромінювання, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...