Горбанюк Тетяна Іванівна

Номер патенту: 96833

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Тетяна Іванівна

МПК: B82Y 30/00, H01L 29/417, H01L 21/00 ...

Мітки: оксиду, основі, газовий, наноструктурованого, сенсор, вольфраму

Формула / Реферат:

Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму, що містить газочутливу плівку оксиду вольфраму, нанесену на підкладку, та електроди, який відрізняється тим, що використано нанорозмірну та наноструктуровану плівку оксиду вольфраму товщиною 20-100 нм і з середнім розміром зерен 30-150 нм, при цьому газовий сенсор працює при кімнатних температурах, а відгук сенсора на дію газу реєструють по вимірюванню поперечного...

Номер патенту: 25783

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Євтух Анатолій Антонович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович

МПК: G01N 27/22, G01N 27/12

Мітки: чутливого, спосіб, датчика, сірководню, газового, напівпровідникового, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...

Номер патенту: 60792

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Макаров Анатолій Володимирович, Литовченко Володимир Григорович, Патон Борис Євгенович, Попов Валентин Георгійович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Коротинський Олександр Євтіхійович

МПК: H01K 1/28

Мітки: лампа, розжарювання

Формула / Реферат:

1. Лампа розжарювання, яка складається з нитки розжарювання, цоколя і балону, на зовнішню поверхню якого нанесено покриття, яке пропускає видиме випромінювання і відбиває інфрачервоне, яка відрізняється тим, що покриття виконане з одношарової плівки напівпровідникової сполуки InSnO, в якій вміст Sn складає 4,8 - 5,2 %, товщиною 100 - 250 нм.2. Лампа розжарювання по п.1, яка відрізняється тим, що додатково на шар InSnO нанесено прозоре...