Солнцев В’ячеслав Сергійович
Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму
Номер патенту: 96833
Опубліковано: 25.02.2015
Автори: Солнцев В'ячеслав Сергійович, Литовченко Володимир Григорович, Горбанюк Тетяна Іванівна
МПК: H01L 29/417, H01L 21/00, B82Y 30/00 ...
Мітки: основі, газовий, наноструктурованого, вольфраму, оксиду, сенсор
Формула / Реферат:
Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму, що містить газочутливу плівку оксиду вольфраму, нанесену на підкладку, та електроди, який відрізняється тим, що використано нанорозмірну та наноструктуровану плівку оксиду вольфраму товщиною 20-100 нм і з середнім розміром зерен 30-150 нм, при цьому газовий сенсор працює при кімнатних температурах, а відгук сенсора на дію газу реєструють по вимірюванню поперечного...
Спосіб отримання наноструктурованої плівки оксиду вольфраму для газових сенсорів
Номер патенту: 95155
Опубліковано: 10.12.2014
Автори: Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Теятна Іванівна
МПК: H01L 21/223, H01L 21/203, B82Y 30/00 ...
Мітки: сенсорів, газових, плівки, оксиду, отримання, вольфраму, спосіб, наноструктурованої
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктурованої плівки оксиду вольфраму (WO3) для газових сенсорів шляхом термічного окислення вольфраму (W) в атмосфері кисню (O2), який відрізняється тим, що вольфрамову плівку товщиною 20-100 нм наносять на кремнієву підкладку (Si) р-типу методом магнетронного розпилення вольфрамової (W) мішені, після чого проводять процес термічного окислення при температурі 400-600 °C, швидкості потоку О2 10-20 см3/с та часу...
Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню
Номер патенту: 25783
Опубліковано: 27.08.2007
Автори: Євтух Анатолій Антонович, Литовченко Володимир Григорович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович
МПК: G01N 27/22, G01N 27/12
Мітки: газового, датчика, напівпровідникового, чутливого, сірководню, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...