Литовченко Володимир Григорович

Номер патенту: 97884

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Злобін Сергій Олександрович, Войтович Марія Володимирівна, Литовченко Володимир Григорович, Лісовський Ігор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, визначення, монокристалічному, концентрації, преципітованого, кремнії, кисню

Формула / Реферат:

Спосіб визначення концентрації преципітованого кисню в монокристалічному кремнії, який включає хімічну обробку полірованої з обох сторін пластини кремнію в розчині HF, опромінення її ІЧ світлом і вимірювання смуги ІЧ пропускання в діапазоні 1000-1200 см-1 на валентних Si-Ο зв'язках, який відрізняється тим, що пластину кремнію при вимірюванні смуги ІЧ пропускання додатково охолоджують до температури рідкого азоту 77 К, із зареєстрованої...

Номер патенту: 96833

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Тетяна Іванівна

МПК: H01L 21/00, B82Y 30/00, H01L 29/417 ...

Мітки: сенсор, газовий, основі, оксиду, наноструктурованого, вольфраму

Формула / Реферат:

Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму, що містить газочутливу плівку оксиду вольфраму, нанесену на підкладку, та електроди, який відрізняється тим, що використано нанорозмірну та наноструктуровану плівку оксиду вольфраму товщиною 20-100 нм і з середнім розміром зерен 30-150 нм, при цьому газовий сенсор працює при кімнатних температурах, а відгук сенсора на дію газу реєструють по вимірюванню поперечного...

Номер патенту: 95155

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Горбанюк Теятна Іванівна, Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович

МПК: H01L 21/223, B82Y 30/00, H01L 21/203 ...

Мітки: плівки, отримання, оксиду, вольфраму, наноструктурованої, газових, сенсорів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованої плівки оксиду вольфраму (WO3) для газових сенсорів шляхом термічного окислення вольфраму (W) в атмосфері кисню (O2), який відрізняється тим, що вольфрамову плівку товщиною 20-100 нм наносять на кремнієву підкладку (Si) р-типу методом магнетронного розпилення вольфрамової (W) мішені, після чого проводять процес термічного окислення при температурі 400-600 °C, швидкості потоку О2 10-20 см3/с та часу...

Номер патенту: 25783

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Горбанюк Тетяна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Євтух Анатолій Антонович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: G01N 27/22, G01N 27/12

Мітки: спосіб, виготовлення, сірководню, напівпровідникового, датчика, газового, чутливого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Клюй Микола Іванович, Костильов Віталій Петрович, Рассамакін Юрій Володимирович, Єфремов Олексій Олександрович, Саріков Андрій Вікторович, Євтух Анатолій Антонович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: рекомбінаційно-активних, монокристалічному, спосіб, полікристалічному, кремнії, домішок, гетерування

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Номер патенту: 60792

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Коротинський Олександр Євтіхійович, Попов Валентин Георгійович, Патон Борис Євгенович, Макаров Анатолій Володимирович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01K 1/28

Мітки: розжарювання, лампа

Формула / Реферат:

1. Лампа розжарювання, яка складається з нитки розжарювання, цоколя і балону, на зовнішню поверхню якого нанесено покриття, яке пропускає видиме випромінювання і відбиває інфрачервоне, яка відрізняється тим, що покриття виконане з одношарової плівки напівпровідникової сполуки InSnO, в якій вміст Sn складає 4,8 - 5,2 %, товщиною 100 - 250 нм.2. Лампа розжарювання по п.1, яка відрізняється тим, що додатково на шар InSnO нанесено прозоре...

Номер патенту: 44600

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Волков Володимир Миколайович, Вербицький Володимир Григорович, Бершак Сергій Іванович, Литовченко Володимир Григорович, Фрідман Михайло Олександрович, Стародубов Валерій Григорович, Терещенко Володимир Степанович, Вінніков Микола Михайлович

МПК: F24J 2/06, H01L 31/04

Мітки: фокусуючий, теплофотоелектричний, колектор, сонячний

Формула / Реферат:

Сонячний фокусуючий теплофотоелектричний колектор, що містить корпус зі світлопрозорим покриттям, паралельно розташовані в ньому приймачі випромінювання у вигляді листо-трубних пластин, розміщених у порожнині відбивача таким чином, що їх площини симетрії збігаються з головної оптичною площиною відбивача, при цьому радіус відбивача дорівнює ширині теплоприймача, який відрізняється тим, що пластини приймача випромінювання виконані гофрованими з...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Марченко Ростислав Іванович, Горбулик Володимир Іванович, Клюй Микола Іванович, Попов Валентин Георгійович, Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: гетерування, домішок, кремнії, рекомбінаційно-активних, спосіб

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вознюк Євгеній Федорович, Литовченко Володимир Григорович, Коломоєць Володимир Васильович, Бобицький Ярослав Васильович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00

Мітки: шаруватого, виготовлення, спосіб, основі, гетеропереходу, напівпровідника

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...

Номер патенту: 14512

Опубліковано: 09.01.1997

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Платов Олексій Михайлович, Чеканов Микола Степанович, Литовченко Олексій Володимирович

МПК: F02B 75/00

Мітки: внутрішнього, згорання, двигун

Формула / Реферат:

Двигатель внутреннего сгорания, содержа­щий корпус с полым цилиндром, систему газорас­пределения, механизм отбора мощности с силовыми элементами и инерционным маховиком, а также системы охлаждения, смазки, распределе­ния зажигания и топливоподачи, отличающийся тем, что механизм отбора мощности выполнен в виде лопастей, закрепленных на коаксиальных ва­лах со смонтированными на них кулисами, связан­ными между собой валом с шестерней, посаженной...

Номер патенту: 7373

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Рудський Ігор Володимирович, Попов Валентин Георгійович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Москаль Денис Миколайович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Думбров Володимир Іванович

МПК: H01L 21/322

Мітки: спосіб, кремнійових, геттерування, внутрішнього, пластинах

Формула / Реферат:

Способ внутреннего геттерирования в кремни­евых пластинах с содержанием кислорода 4•1017-1•1018 см-3 , включающий проведение двухста­дийного отжига при температурах T1=600-8000С и Т2=1050-1150°С в нейтральной среде, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения эффектив­ности процесса геттерирования, отжиг при температуре T1 проводят в течение 3-8 ч в поле градиента механических напряжений, обеспечи­вающих сжатие рабочей и растяжение нерабочей...

Номер патенту: 7560

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Кудіна Альбіна Вікторівна, Марченко Ростислав Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Шаповалов Віталій Павлович

МПК: H01L 21/265

Мітки: спосіб, структур, si-sio2, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.

Номер патенту: 7559

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Горбань Анатолій Петрович, Макаров Анатолій Володимирович, Серба Олександр Андрійович, Костильов Віталій Петрович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоелемент, позиційно-чутливий

Номер патенту: 7561

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Тетяненко Микола Петрович, Іваницький Олег Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Громашевський Вячеслав Львович, Горбань Анатолій Петрович, Костильов Віталій Петрович

МПК: H01L 21/304

Мітки: структур, обробки, кремній-двоокис, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Способ обработки структур кремний-дву­окись кремния, включающий операцию измене­ния параметров дефектов, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, энергоемко­сти процесса и повышения качества, изменение параметров дефектов производят путем возбужде­ния в структурах ультразвуковых колебаний с ча­стотой 0,1 - 60 МГц, интенсивностью 0,5-7 Вт/см2 в течение 5-30 мин при температуре структуры не более 1000С.

Номер патенту: 7563

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Лісовський Ігор Петрович, Литвинов Ренальд Олімпійович

МПК: H01L 21/265

Мітки: спосіб, станів, розділу, межі, густини, кремнію, зменшення, поверхневих, кремній-двоокис

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Марченко Ростислав Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Думбров Володимир Іванович, Шаповалов Віталій Павлович, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/265, H01J 37/30

Мітки: кремнію, одержання, спосіб, автоепітаксіальних, шарів

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...

Номер патенту: 7065

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Горбань Анатолій Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Серба Олександр Андрійович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоелемент, координатно-чутливий

Текст:

...влияния на ' ^ предлагаемом фотоэлементе аспальзофотоэлектрические характеристики привана подложка из низкоомного полупробора, а планерное распределение заряводникового материала, то обуслокг.-енда диэлектрика, определяющее степень ное рекомбинационными токами падение Однородности его характеристик, являнапряжения происходит не в подложке, ется практически однородным на рас50 а в более высокоомном инверсионном стояниях, соизмеримых с...