Попов Валентин Георгійович

Номер патенту: 62706

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Голтвянський Юрій Васильович, Мельник Віктор Павлович, Нікірін Віктор Андрійович, Попов Валентин Георгійович, Романюк Борис Миколайович, Оберемок Олександр Степанович, Хацевич Ігор Мирославович, Гудименко Олександр Йосипович

МПК: G02F 1/015

Мітки: ванадію, термохромної, методом, розпилення, магнетронного, діоксиду, плівки, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію, який включає нанесення на підігріту до 200-250 °С підкладку у вакуумній камері шару аморфного оксиду ванадію і його кристалізацію шляхом термічного відпалу, який відрізняється тим, що шар аморфного оксиду ванадію наносять шляхом магнетронного розпорошення ванадієвої мішені в середовищі газової суміші Аr та О2, вміст якого складає 3-7 %, зі швидкістю напилення 5-15 нм/хв., а термічний...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович, Хацевич Ігор Мирославович, Мельник Павло Вікентієвич

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Мітки: фотолюмінесцентної, нанокластерної, структури, спосіб, виготовлення, кремнієвої

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Оберемок Олександр Степанович, Гамов Дмитро Вікторович, Попов Валентин Георгійович, Хацевич Ігор Мирославович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: структури, спосіб, фотолюмінесцентної, кремнієвої, нанокластерної, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Рассамакін Юрій Володимирович, Саріков Андрій Вікторович, Євтух Анатолій Антонович, Клюй Микола Іванович, Костильов Віталій Петрович, Попов Валентин Георгійович, Єфремов Олексій Олександрович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: домішок, полікристалічному, монокристалічному, рекомбінаційно-активних, гетерування, кремнії, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Номер патенту: 60792

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Горбанюк Тетяна Іванівна, Патон Борис Євгенович, Попов Валентин Георгійович, Коротинський Олександр Євтіхійович, Литовченко Володимир Григорович, Макаров Анатолій Володимирович

МПК: H01K 1/28

Мітки: розжарювання, лампа

Формула / Реферат:

1. Лампа розжарювання, яка складається з нитки розжарювання, цоколя і балону, на зовнішню поверхню якого нанесено покриття, яке пропускає видиме випромінювання і відбиває інфрачервоне, яка відрізняється тим, що покриття виконане з одношарової плівки напівпровідникової сполуки InSnO, в якій вміст Sn складає 4,8 - 5,2 %, товщиною 100 - 250 нм.2. Лампа розжарювання по п.1, яка відрізняється тим, що додатково на шар InSnO нанесено прозоре...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Клюй Микола Іванович, Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович, Литовченко Володимир Григорович, Марченко Ростислав Іванович, Горбулик Володимир Іванович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: домішок, спосіб, кремнії, рекомбінаційно-активних, гетерування

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...

Номер патенту: 13080

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Меркулов Юрій Валентинович, Соколовський Микола Миколайович, Попов Валентин Георгійович

МПК: B64D 37/00

Мітки: палива, перекачування, система, літального, апарата, заправлення, магістралі

Формула / Реферат:

(57) Система перекачки топлива из магистралей заправки летательного аппарата, содержащая вертикальные участки магистралей заправки и слива топлива, заправочные и сливные краны, левый и правый магистральные краны, выключатели управления перекачкой, заправочного и сливного кранов, шину электропитания, сигнализаторы давления и сливной насос в магистрали слива, отличающаяся тем, что вертикальные участки магистралей заправки соединены между собой...

Номер патенту: 9861

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Попов Валентин Георгійович, Борисевич Володимир Павлович, Торгов Юрій Фьодоровіч, Соколовський Микола Миколайович, Спірідонов Владімір Ніколаєвіч

МПК: B64D 37/00

Мітки: спрацюванням, літального, палива, автоматичного, апарата, пристрій, управління

Формула / Реферат:

(57) Устройство автоматического управления выработкой топлива летательного аппарата, содержащее установленные в каналах управления выработкой из трех очередей насосы, датчики уровня и давления топлива в баках, логические элементы "И-НЕ", "ИЛИ-НЕ", счетчик времени, усилители, коммутационные элементы, отличающееся тем, что в нем канал управления выработкой топлива первой очереди снабжен дополнительным логическим элементом...

Номер патенту: 7373

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Рудський Ігор Володимирович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Романюк Борис Миколайович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Москаль Денис Миколайович, Думбров Володимир Іванович, Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/322

Мітки: кремнійових, геттерування, спосіб, пластинах, внутрішнього

Формула / Реферат:

Способ внутреннего геттерирования в кремни­евых пластинах с содержанием кислорода 4•1017-1•1018 см-3 , включающий проведение двухста­дийного отжига при температурах T1=600-8000С и Т2=1050-1150°С в нейтральной среде, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения эффектив­ности процесса геттерирования, отжиг при температуре T1 проводят в течение 3-8 ч в поле градиента механических напряжений, обеспечи­вающих сжатие рабочей и растяжение нерабочей...

Номер патенту: 7560

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Марченко Ростислав Іванович, Романюк Борис Миколайович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Шаповалов Віталій Павлович, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Жолудєв Геннадій Кузьмич

МПК: H01L 21/265

Мітки: структур, виготовлення, si-sio2, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.