Євтух Анатолій Антонович

Номер патенту: 25783

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Горбанюк Тетяна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Євтух Анатолій Антонович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: G01N 27/22, G01N 27/12

Мітки: виготовлення, сірководню, чутливого, напівпровідникового, датчика, газового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Клюй Микола Іванович, Попов Валентин Георгійович, Рассамакін Юрій Володимирович, Євтух Анатолій Антонович, Саріков Андрій Вікторович, Литовченко Володимир Григорович, Костильов Віталій Петрович, Єфремов Олексій Олександрович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: домішок, монокристалічному, рекомбінаційно-активних, гетерування, кремнії, полікристалічному, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...