H01L 21/30 — обробка напівпровідників з використанням способів і пристроїв, що не передбачених у
Спосіб виготовлення польових транзисторів з бар’єром шотткі
Номер патенту: 16522
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Феоклістов Володимир Юр'євич, Кохан Валентин Петрович, Босий Віталій Ісайович, Петровський Олег Іванович, Іващук Анатолій Васильович
МПК: H01L 21/30
Мітки: виготовлення, транзисторів, бар'єром, спосіб, польових, шотткі
Формула / Реферат:
Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий последовательное формирование на подложке n и n+ слоев и слоя диэлектрика, формирование истока и стока, выполнение литографии затвора, удаление на открытых участках диэлектрика и n+ слоя, формирование затвора путем вакуумного напыления и испарителя, взрывную литографию, отличающийся тем, что, с целью снижения шумов полевых транзисторов с барьером Шоттки за счет уменьшения...