Кохан Валентин Петрович

Номер патенту: 16340

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комаров Володимир Львович, Петровський Олег Іванович, Кохан Валентин Петрович, Корнус Володимир Григорович, Іващук Анатолій Васильович

МПК: C23C 14/26

Мітки: напилення, пристрій, речовини, вакуумі

Формула / Реферат:

Устройство для напыления вещества в ваку­уме по авт. св. № 1473369, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества напыляемой пленки за счет увеличения скорости напыления, каждая последующая от центра спирали точка верхнего торца спирали выше, чем предыдущая, причем ве­личина подъема каждого последующего витка вы­бирается из соотношенияД< < а Ї і - він в,где д \ — величина подъема витка, м; а - капиллярная постоянная...

Номер патенту: 16341

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кохан Валентин Петрович, Корнус Володимир Григорович, Іващук Анатолій Васильович, Яшник Володимир Макарович

МПК: C23C 14/24

Мітки: речовини, напилення, вакуумі, випарник

Формула / Реферат:

Испаритель для напыления вещества в ваку­уме, содержащий систему щелевых капилляров, установленных с зазором один относительно дру­гого и выполненных из материала, смачиваемого расплавом напыляемого вещества) нагреватель, охватывающий систему щелевых капилляров, от­личающийся тем, что, с целью упрощения конст­рукции испарителя при улучшении качества напыляемой пленки, нагреватель выполнен в виде стакана, а система щелевых капилляров...

Номер патенту: 16522

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Босий Віталій Ісайович, Феоклістов Володимир Юр'євич, Кохан Валентин Петрович, Петровський Олег Іванович, Іващук Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/30

Мітки: виготовлення, спосіб, шотткі, транзисторів, польових, бар'єром

Формула / Реферат:

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий последовательное формирование на подложке n и n+ слоев и слоя диэлектрика, формирование истока и стока, выполнение литографии затвора, удаление на открытых участках диэлектрика и n+ слоя, формирование затвора путем вакуумного напыления и испарителя, взрывную литографию, отличающийся тем, что, с целью снижения шумов полевых транзисторов с барьером Шоттки за счет уменьшения...

Номер патенту: 16878

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кохан Валентин Петрович, Іващук Анатолій Васильович, Данилов Миколай Григорович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/28

Мітки: бар'єром, структур, спосіб, польових, виготовлення, транзисторів, шоткі

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур полевых транзисторов с барьером Шотки, включающий формирование на полупроводниковой подложке активного и контактного слоев, вытравливание меза-структур, формирование областей истока и стока, вытравливание в области затвора контактного и части активного слоев, формирование барьерной части затворного электрода, формирование контактной части затворного электрода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента...