Іващук Анатолій Васильович

Номер патенту: 115968

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Законов Євгеній Сергійович, Писаренко Леонід Дмитрович, Іващук Анатолій Васильович, Бітов Мирослав Валерійович, Олійник Остап Олегович, Плешка Тетяна Євгеніївна, Жовнір Микола Федорович

МПК: H03H 9/13, G01P 3/00

Мітки: вимірювання, кутової, швидкості, датчик, об'єктів

Формула / Реферат:

Датчик для вимірювання кутової швидкості об'єкта, що містить перший п'єзоелектричний звукопровід, на поверхні якого розташовані два перетворювачі ПАХ, сполучені із змішувачем сигналів, над першим п'єзоелектричним звукопроводом із зазором розміщено другий п'єзоелектричний звукопровід з перетворювач ПАХ, з'єднаний з генератором гармонічних коливань, який відрізняється тим, що кільцевий п'єзоелектричний хвилевід ПАХ сполучений з концентратором...

Номер патенту: 101378

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Масько Олександр Миколайович, Козей Ярослав Сергійович, Сухов Віталій Вікторович, Задорожнюк Віктор Юрійович, Іващук Анатолій Васильович

МПК: B64C 39/08

Мітки: сонячний, літальний, апарат, енергії, безпілотний

Формула / Реферат:

1. Безпілотний літальний апарат на сонячній енергії, що містить фюзеляж та електричну силову установку, крила з сонячними елементами та системи керування, який відрізняється тим, що складається з двох крил - переднього і заднього, рознесених по довжині і висоті, системи керування по крену, встановленої на задньому крилі, системи керування по тангажу, встановленої на передньому крилі, силової установки, розміщеної позаду переднього крила,...

Номер патенту: 16340

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Іващук Анатолій Васильович, Петровський Олег Іванович, Кохан Валентин Петрович, Корнус Володимир Григорович, Комаров Володимир Львович

МПК: C23C 14/26

Мітки: напилення, речовини, пристрій, вакуумі

Формула / Реферат:

Устройство для напыления вещества в ваку­уме по авт. св. № 1473369, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества напыляемой пленки за счет увеличения скорости напыления, каждая последующая от центра спирали точка верхнего торца спирали выше, чем предыдущая, причем ве­личина подъема каждого последующего витка вы­бирается из соотношенияД< < а Ї і - він в,где д \ — величина подъема витка, м; а - капиллярная постоянная...

Номер патенту: 16341

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Корнус Володимир Григорович, Яшник Володимир Макарович, Кохан Валентин Петрович, Іващук Анатолій Васильович

МПК: C23C 14/24

Мітки: речовини, випарник, вакуумі, напилення

Формула / Реферат:

Испаритель для напыления вещества в ваку­уме, содержащий систему щелевых капилляров, установленных с зазором один относительно дру­гого и выполненных из материала, смачиваемого расплавом напыляемого вещества) нагреватель, охватывающий систему щелевых капилляров, от­личающийся тем, что, с целью упрощения конст­рукции испарителя при улучшении качества напыляемой пленки, нагреватель выполнен в виде стакана, а система щелевых капилляров...

Номер патенту: 16522

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Феоклістов Володимир Юр'євич, Іващук Анатолій Васильович, Кохан Валентин Петрович, Петровський Олег Іванович, Босий Віталій Ісайович

МПК: H01L 21/30

Мітки: спосіб, транзисторів, шотткі, бар'єром, польових, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий последовательное формирование на подложке n и n+ слоев и слоя диэлектрика, формирование истока и стока, выполнение литографии затвора, удаление на открытых участках диэлектрика и n+ слоя, формирование затвора путем вакуумного напыления и испарителя, взрывную литографию, отличающийся тем, что, с целью снижения шумов полевых транзисторов с барьером Шоттки за счет уменьшения...

Номер патенту: 16878

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кохан Валентин Петрович, Данилов Миколай Григорович, Іващук Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/70

Мітки: бар'єром, спосіб, структур, транзисторів, шоткі, виготовлення, польових

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур полевых транзисторов с барьером Шотки, включающий формирование на полупроводниковой подложке активного и контактного слоев, вытравливание меза-структур, формирование областей истока и стока, вытравливание в области затвора контактного и части активного слоев, формирование барьерной части затворного электрода, формирование контактной части затворного электрода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента...