H01L 21/368 — з використанням рідинного осадження
Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах
Номер патенту: 99369
Опубліковано: 10.08.2012
Автори: Писаревський Володимир Костянтинович, Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович
МПК: C30B 25/00, H01L 21/02, C30B 19/00 ...
Мітки: власнодефектних, зниження, спосіб, акцепторів, кристалах, концентрації
Формула / Реферат:
Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...
Спосіб створення фотоелектричного перетворювача
Номер патенту: 90809
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Козуб Світлана Миколаївна, Грінь Григорій Іванович, Козуб Павло Анатолійович, Панчева Ганна Михайлівна
МПК: H01L 21/368, H01L 31/00
Мітки: спосіб, перетворювача, створення, фотоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб створення фотоелектричного перетворювача на основі бар'єра Шотки, сформованого на підкладці шарами металу та напівпровідника, який відрізняється тим, що використовують підкладку великої площі, а як шар напівпровідника, який безпосередньо контактує із попередньо сформованим напівпрозорим металевим шаром, хімічним осадженням наносять шар сульфіду кадмію з розчину солі кадмію за допомогою тіосечовини, вибраних у діапазоні концентрацій...