H01L 31/112 — характеризуються дією польового ефекту, наприклад площинні польові фототранзистори
Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач
Номер патенту: 110751
Опубліковано: 10.02.2016
Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович, Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович
МПК: H01L 31/053, H01L 31/08, H01L 31/112 ...
Мітки: наноіонний, гібридний, фотоперетворювач, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду...