Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач
Номер патенту: 110751
Опубліковано: 10.02.2016
Автори: Кудринський Захар Русланович, Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович
Формула / Реферат
Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду напівпровідникову матрицю селеніду індію з шаруватою кристалічною структурою і з електронним типом провідності, що містить в собі впорядковано розташовані вздовж гексагональної осі симетрії шаруватої кристалічної матриці тверді нанорозмірні кристалічні включення іонної солі нітрату рубідію, висота яких не перевищує ширини ван-дер-ваальсівської щілини кристала селеніду індію, і які утворюють наноструктури в вигляді кілець з зовнішнім радіусом менше 100 нм, розташовані на покритих шарами оксиду індію, що мають товщину менше 1 нм, ван-дер-ваальсівських поверхнях (0001) шаруватого кристала.
Текст
Реферат: Винахід належить до наноелектроніки і конденсаторобудування і може бути використаний в сучасних електронних приладах. Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач містить фоточутливий нанокомпозитний матеріал, який являє собою напівпровідникову матрицю селеніду індію з шаруватою кристалічною структурою і з електронним типом провідності, що містить в собі впорядковано розташовані вздовж гексагональної осі симетрії шаруватої кристалічної матриці тверді нанорозмірні кристалічні включення іонної солі нітрату рубідію, висота яких не перевищує ширини ван-дер-ваальсівської щілини кристала селеніду індію. Нанокільця мають зовнішній радіус менше 100 нм. Вони розташовані на покритих шарами оксиду індію, що мають товщину менше 1 нм, ван-дер-ваальсівських поверхнях (0001) шаруватого кристала. Технічним результатом винаходу є підвищення питомої електричної UA 110751 C2 (12) UA 110751 C2 ємності і коефіцієнта перекриття по освітленню твердотільних фотоконденсаторів в широкій області електричних частот (від 0 Гц до 10 Гц) в спектральному діапазоні оптичного випромінювання (λ
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюBakhtinov Anatolii Petrovych, Vodopianov Volodymyr Mykolaiovych, Kovaliuk Zakhar Dmtrovych
Автори російськоюБахтинов Анатолий Петрович, Водопьянов Владимир Николаевич, Ковалюк Захар Дмитриевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 31/053, H01L 31/112, H01L 31/08
Мітки: напівпровідниковий, гібридний, наноіонний, фотоперетворювач
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/11-110751-gibridnijj-napivprovidnikovijj-nanoionnijj-fotoperetvoryuvach.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач</a>
Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора
Номер патенту: 109832
Опубліковано: 12.10.2015
Автори: Кудринський Захар Русланович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович
Мітки: конденсатора, виготовлення, наноіонного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора, що включає в себе впровадження в ван-дер-ваальсівський простір між шарами напівпровідникового матеріалу з шаруватою кристалічною структурою рідкої розплавленої іонної солі і наступного охолодження нанокомпозитного матеріалу, що складається з шаруватого кристалу і іонної солі, який відрізняється тим, що як шаруватий напівпровідниковий матеріал використовують високоомний селенід індію з електронним...
Напівпровідниковий конструктивний елемент
Номер патенту: 46173
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Фон Бассе Пауль-Вернер, Віллер Йозеф, Шайтер Томас
МПК: H01L 21/314, A61B 5/117, G06K 9/00, G06T 1/00
Мітки: напівпровідниковий, конструктивний, елемент
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий конструктивний елемент, що складається із напівпровідникового корпусу (1), на якому розміщений структурований проміжками шар (5),- пасивувальне покриття, що складається із щонайменше двох нанесених один на інший подвійних пасивувальних шарів (6, 7, 8, 9), яке покриває структурований шар (5) на поверхні напівпровідникового корпусу (1) і заповнює проміжки у структурованому шарі (5),- в якому кожен із...
Фотоакумулятор
Номер патенту: 78243
Опубліковано: 15.03.2007
Автори: Понеділок Григорій Володимирович, Григорчак Іван Іванович, Бахматюк Богдан Петрович, Рудавський Юрій Кирилович
МПК: H01G 9/20, H01M 10/36
Мітки: фотоакумулятор
Формула / Реферат:
Фотоакумулятор, що містить прозорий корпус, заповнений розчином електроліту з редокс-парою, та розміщені в розчині фотоактивні анод і електрод накопичення з струмовиводами, який відрізняється тим, що як матеріал фотоактивного анода використаний селенід індію з шаруватою кристалічною структурою, електрода накопичення - фоточутливий селенід галію з шаруватою кристалічною структурою і неводний апротонний електроліт з редокс-парою.
Силовий напівпровідниковий елемент та напівпровідниковий пристрій з цим елементом
Номер патенту: 61126
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Грюнінг Хорст, Келлер Томас, Майбах Філіпп, Клака Свен, Клетт Олександр, Реес Йохен, Едегард Б'єрн
МПК: H01L 23/02
Мітки: елемент, пристрій, напівпровідниковий, цим, силовий, елементом
Формула / Реферат:
1.Силовий напівпровідниковий елемент (3), зокрема тиристор, що містить розміщену в корпусі (30) напівпровідникову підкладку (31), анод (33), катод (34), кільцевий вивід (35) керуючого електрода, що виступає за корпус (30), і кільцевий вивід (36) допоміжного катода, що виступає за корпус (30) для забезпечення контакту допоміжного катода, який відрізняється тим, що вивід (36) допоміжного катода і/або вивід (35) керуючого електрода мають на...
Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям
Номер патенту: 55555
Опубліковано: 15.04.2003
Автори: Брюкльмайер Ерік-Роджер, Смола Міхаель
МПК: H01L 23/58
Мітки: покриттям, захисним, напівпровідниковий, чіп
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям, який містить схеми, реалізовані у щонайменше одному шарі напівпровідникової підкладки і розміщені у щонайменше одній групі схем, а також щонайменше один електропровідний захисний шар (SL), розміщений щонайменше над однією з таких груп схем і електрично з'єднаний щонайменше з однією зі схем (1, 2), який відрізняється тим, що підкладка містить щонайменше один захисний датчик (SS), виконаний таким...
Попередній патент: Пристрій для виявлення витоку рідини
Наступний патент: Спосіб визначення заліза у водних розчинах
Випадковий патент: Похідні 8-селеноксоспіро[3,5,7,11-тетраазатрицикло[7.3.1.02,7]тридец-2-ен-13,4'-циклогексан]-1,9-дикарбонітрилів